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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

磁控溅射的基本原理是电子在电场作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，若电子具有足够的能量时， 则电离出离子和另一个电子（二次电子）。电子飞向基片，离子在电场作用下加速飞向阴极 （溅射靶） 并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在基片上形成薄膜， 二次电子在加速飞向基片时受磁场的洛仑兹力作用以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。在离子轰击中用于加速离子，提高离子轰击工件表面的能量，去除表面氧化层和吸附物，达到提高膜层结合力的作用。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

基体温度：镀膜时基体温度直接影响膜层的结构、致密性和附着力，温度可用T/Tm值来确定，如；镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：辉光清洗：对工件施加负偏压，产生辉光放电，利用ya离子轰击工件表面，这种辉光放电清洗作用比较柔和，一般采取由弱到强的轰击清洗顺序，是怕工件太脏时一开始就强轰击，可能产生强烈的打火而损伤工件。靶材为钛，其熔点为1670℃，基体温度应该选择TI/TM=0.15-0.25即 250-417℃才能得到理想的晶粒***。考虑到沉积粒子受负偏压作用加速轰击工件还会引起温升，基体可选在250-300℃

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辉光清洗：对工件施加负偏压，产生辉光放电，利用ya离子轰击工件表面，这种辉光放电清洗作用比较柔和，一般采取由弱到强的轰击清洗顺序，是怕工件太脏时一开始就强轰击，可能产生强烈的打火而损伤工件。

反应溅射就是在反应气体环境中镀膜，溅射过程中靶材会与溅射气体发生化学反应。反应溅射一般沉积不导电的膜层，例如：Snox,ZnOx,Siox,SiNx等。在反应溅射系统中，一般都加入Ar加速反应速度，即提高溅射速率。在反应溅射气氛中，加入工作气体越多，溅射速率越高，当加入的工作气体过多时，反应气体来不急将所有溅射出来的原子反应掉，膜层内就会含有金属，我们把这种状态叫翻转。相当于一个从枪g中射出的高速弹头，可以穿入靶体很深，在工件上形成一种附着牢固的扩散镀层。在反应溅射过程中，无论翻转与正常状态，靶的溅射速率都没有不反应溅射速率高。