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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

磁控溅射的基本原理是电子在电场作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，若电子具有足够的能量时， 则电离出离子和另一个电子（二次电子）。电子飞向基片，离子在电场作用下加速飞向阴极 （溅射靶） 并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在基片上形成薄膜， 二次电子在加速飞向基片时受磁场的洛仑兹力作用以摆线和螺旋线状的复合形式在靶表面作圆周运动。溅射镀膜原理：溅射镀膜是利用溅射现象来达到制取各种薄膜的目的，即在真空室中利用荷能离子轰击靶表面，使被轰击出的粒子在基底上沉积的技术。

真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：磁控溅射的基本原理就是以磁场改变电子运动方向， 束缚和延长电子的运动轨迹， 从而提高了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量。因此在形成高密度等离子体的异常辉光放电中正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效，同时受正交电磁场的束缚的电子只能在其能量将要耗尽时才能沉积在基片上。这就是磁控溅射具有 “低温”、“高速”两大特点的机理。人们早就认识到，通过改变零件表面的成分结构，能有效的改变零件的性能，延长其寿命。

物理l气相沉积（真空镀膜）基本方法 ：

1、从沉积粒子能量（中性原子）来看，真空蒸镀为0.1-1eV，溅射为1-10eV，离子镀为0.1-1eV（此外还有高能中性原子）。

2、从沉积速率来看，真空蒸镀为0.1-70μm/min，溅射为0.01-0.05μm/min(磁控溅射接近于真空蒸镀)，离子镀为0.1-50μm/min。

镀膜技术也叫薄膜技术，是在真空条件下采用物理或化学方法，使物体表面获得所需的膜体。镀膜技术是初起源于20世纪30年代，直到70年代后期才得到较大发展的一种技术。普通真空镀膜（亦称真空蒸镀）时，工件夹在真空罩内，当高温蒸发源通电加热后，促使待镀材料——蒸发料熔化蒸发。目前已被广泛应用于耐酸、耐蚀、耐热、表面硬化、装饰、润滑、光电通讯、电子集成、能源等领域.