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真空镀膜之磁控溅射镀膜 ：

电子的运动路径不仅很长，而且被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，在该区中电离出大量的离子用来轰击靶材，从而实现了磁控溅射沉积速率高的特点。随着碰撞次数的增加，电子的能量逐渐降低,同时逐步远离靶面。低能电子沿着磁力线来回振荡，待电子能量将耗尽时，在电场的作用下终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传给基片的能量很小，致使基片温升较低。由于磁极轴线处电场与磁场平行，电子将直接飞向基片。镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：镀膜时间：膜层厚度随镀膜时间的增加而增加,但不是线形增加,当厚度达到一定的时候,增加速度会变慢***后基本停止,而且镀膜时间越长膜层应力越大。但是在磁控溅射装置中， 磁极轴线处离子密度很低， 所以这类电子很小，对基片温升作用不大。

物理l气相沉积（真空镀膜）基本方法 ：

1、从沉积粒子能量（中性原子）来看，真空蒸镀为0.1-1eV，溅射为1-10eV，离子镀为0.1-1eV（此外还有高能中性原子）。

2、从沉积速率来看，真空蒸镀为0.1-70μm/min，溅射为0.01-0.05μm/min(磁控溅射接近于真空蒸镀)，离子镀为0.1-50μm/min。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：占空比：占空比是指脉冲偏压的通断时间比，占空比越大，同一个周期时间内偏压输出时间越长，增大占空比可以提高离子轰击的能量，有利于提高膜基结合力和膜层致密性和膜层的硬度，但会提高工件的温升；因此不反应溅射所使用的气体为惰性气体，一般使用y气（Ar），称为工作气体。减小占空比有利于***打火损伤和降低工件表面的温度、辉光放电清洗和离子轰击的效果。

镀膜原理

阴极真空磁控溅射的特点：膜层厚度均匀、镀膜速度快、基板温度低。溅射镀膜利用2个原理：辉光放电、连续撞击。溅射过程是建立在气体放电基础上的，放电从低压下开始的，气体离子与靶材相互作用，离子不断的撞击靶表面，靶材从靶表面被轰击下来然后在靶附近的基片（玻璃）上沉积下来，凝结成一层薄膜。ya气越少，靶材溅射量越少，但真空度越高,气体分子自由程越大，散射越少，粒子碰撞几率越小，粒子迁移过程中损失的动量越少，沉积速率越大。