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真空镀膜之多弧离子镀 ：该装置的优点是阴极电弧源既是蒸发源和离化源 ,又是加热源和轰击源,不用熔池,弧源可任意方位,多源布置。离化率高,一般可达60%-80%蒸发沉积速率快, 入射粒子能量高,沉积膜的质量和附着性能好。可蒸发各种导电材料,金属或合金, 成份不受限制。能进行反应镀膜,缺点是易于产生液滴,***不致密。离子镀工艺则有所不同，虽然也是在真空罩内进行的，但这时镀膜过程是以电荷传递的形式来实现的。

从镀膜的原理及特点看，真空蒸镀工件不带电，真空条件下金属加热蒸发沉积到工件表面，沉积粒子的能量与蒸发时的温度对应。溅射的工件为阳极，靶为阴极，利用原子的溅射作用把靶材原子击出而沉积在工件表面上，沉积原子的能量由被溅射原子的能量分布决定。溅射的镀料原子不是靠加热方式蒸发，而是靠阴极溅射由靶材获得沉积原子。离子镀的工件为阴极，蒸发源为阳极，进入辉光放电空间的金属原子离子化后奔向工件，并在工件表面沉积成膜，沉积过程中离子对基片表面、膜层与基片的界面以及膜层本身都发生轰击作用，粒子的能量决定于阴极上所加的电压。

镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响 ：

在膜层沉积时，用于增加离子能量，促进和改善薄膜生长，提高膜基结合力。

偏压越大离子附加能量越强，沉积过程中对膜层的轰击净化作用越明显，膜层越致密，同时颜色会越浅，膜层L值（亮度）会增加，显微硬度会增加、同时膜层外观粗糙度会变差，沉积过程中工件和膜层温升越大，偏压太大可能使工件变形受伤，或产生热应力崩膜。

磁控溅射目前是一种应用十分广泛的薄膜沉积技术溅射技术上的不断发展和对新功能薄膜的探索研究，使磁控溅射应用延伸到许多生产和科研领域。在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长困难及不适用的材料薄膜沉积而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。反应溅射就是在反应气体环境中镀膜，溅射过程中靶材会与溅射气体发生化学反应。包括欧姆接触的A1、Cu、Au、W、Ti等金属电极薄膜及可用于栅绝缘层或扩散势垒层的TiN、Ta205、Ti0、A1203、Zr02、A1N等介质薄膜沉积。