金属氧化物半导体场效应三极管的根本工作原理是靠半导体外表的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来停止工作的。当栅 G 电压 VG 增大时，片式铝电解电容， p 型半导体外表的多数载流子棗空穴逐步减少、耗尽，而电子逐步积聚到反型。当外表到达反型时，电子积聚层将在 n 源区 S 和 n 漏区 D 之间构成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使贴片铝电解电容半导体外表到达强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGSgt;VT 并取不同数值时，反型层的导电才能将改动，非片式铝电解电容，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS ，铝电解电容， 完成栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。

4. 请在额定温度范围内使用电容器。如果在上限温度以上使用电容器将会导致使用寿命大大缩短或防爆阀开启，在室温下使用会保证更长的使用寿命。科学统计，贴片铝电解电容，使用环境温度每下降10摄氏度其使用寿命增加一倍。

5. 当电容器长期贮存后，其漏电流会升高，贮存温度越高，漏电流上升愈快。因此应注意贮存环境，在电容器上施加电压后，漏电值将不断下降，如果漏电流值上升对电路有不良影响，请在使用前充电处理。

6. 电容不适合用在频繁充放电的电路。容量会由于负极氧化膜的氧化而容量减小，或电容通过充放电产生的热量而损坏。

7.不良的安装或者对引线施加应力会使产品内部结构损坏，导致漏电流高或者漏液问题。

W=Ir2* ESR V*IL

W：内部的消耗电力

Ir：纹波电流

ESR：内部电阻（等效串联电阻）

V：外加电压

IL：漏电流

在***高使用温度下，漏电流增加到20℃时的5~10倍，但仍然Ir≥IL，则W= Ir2·ESR。 要求出内部发热和放热达到平衡的条件，则

Ir2·R=β*A*ΔT

β：放热常数

A：外壳表面积（m2）

A=π/4·D(D 4L)

D：外壳的直径（m）

L：外壳的长度（m）

ΔT：因纹波电流所上升的温度（℃）

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