贴片电解电容制造过程

氧化膜形成工艺：

铝箔经过电化腐蚀后，就要使用化学办法，将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后，要仔细检查三氧化二铝的表面，看是否有斑点或者龟裂，将不合格的排除在外。

铝箔的切割：

这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔，切割成若干小块，使其适合电容制造的需要。

引线的铆接：

电容外部的引脚并不是直接连到电容内部，而是通过内引线与电容内部连接的。

电解纸的卷绕：

电容中的电解液并非直接灌进电容，呈液态浸泡住铝箔，而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。

铝电解电容器的额定电压的1.3倍作为电容器的浪涌电压，工作电压高于160V时，是额定工作电压 50V作为浪涌电压，这是生产厂家保证的电压，可以允许在短时间内承受此电压。电容器处于浪涌电压时，电流会很大，通常是正常情况的10~15倍，如果时间太长，会爆开。 所以一般选用铝电容器应该把电压选得稍高些，实际工作电压为标称电压的70~80%为宜。

贴片电容在电路中遇到的问题有哪些?

贴片电容又称做多层片式陶瓷电容器，英文缩写为MLCC。MLCC受到温度冲击时，容易从焊端开始产生裂纹。另外，在MLCC焊接过后的冷却过程中，MLCC和PCB的膨胀系数不同，于是产生应力，导致裂纹。要避免这个问题，回流焊时需要有良好的焊接温度曲线。

大家都知道，IC芯片的封装贴片式和双列直插式之分。PCB上每一根走线都存在天线效应。PCB上的每一个元件也存在天线效应，元件的导电部分越大，天线效应越强。

同一装置，贴片电容采用贴片元件比采用双列直插元件更易通过EMC测试。此外，天线效应还跟每个芯片的工作电流环路有关。要削弱天线效应，除了减小封装尺寸，还应尽量减小工作电流环路尺寸、降低工作频率和di/dt。而从型号的IC芯片(尤其是单片)的管脚布局发现：它们大多抛弃了传统方式——左下角为GND右上角为VCC，而将VCC和GND安排在相邻位置，就是为了减小工作电流环路尺寸。