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摘要 : 强元芯电子有限公司是ASEMI品牌在的代理商，12年的专注也让强元芯成为了半导体行业的，D4KB100_65W快充桥堆，也使得我们对半导体光电子器件的了解甚多。要更好的使用光电耦合器就要知道它的

导读：强元芯电子有限公司是ASEMI品牌，12年的专注也让强元芯成为了半导体行业的，也使得我们对半导体光电子器件的了解甚多。要更好的使用光电耦合器就要知道它的技巧，今天强元芯就告诉你到底有哪些技巧！

强元芯的技术工程师告诉我们，采用光耦隔离可以很好地实现弱电和强电的隔离，达到抗干扰目的。但是，使用光耦隔离需要考虑以下几个问题：

① 接用于隔离传输模拟量时，要考虑光耦的非线性问题；

② 传输数字量时，要考虑光耦的响应速度问题；

③ 如果输出有功率要求的话，还得考虑光耦的功率接口设计问题。

1、提高光电耦合器的传输速度

当采用光耦隔离数字信号进行控制系统设计时，光电耦合器的传输特性，即传输速度，往往成为系统数据传输速率的决定因素。

在许多总线式结构的工业测控系统中，为了防止各模块之间的相互干扰，同时不降低通讯波特率，我们不得不采用高速光耦来实现模块之间的相互隔离。常用的高速光耦有6N135/6N136，6N137/6N138。但是，高速光耦价格比较高，导致设计成本提高。这里介绍两种方法来提高普通光耦的开关速度。

由于光耦的电流传输比较低，其集电极负载电阻不能太小，否则输出电压的摆幅就受到了限制。但是，负载电阻又不宜过大，负载电阻RL越大，由于分布电容的存在，光电耦合器的频率特性就越差，传输也越长。

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摘要 : 整流桥KBP210与2W10之前的区别与联系，ASEMI来为您讲解，GBP410_65W快充桥堆，本节来讲解一下

整流桥KBP210与2W10外观一览

下图所示，左图为整流桥KBP210，_65W快充桥堆，右图2W10，图中所示我们可以看出KBP210与2W10他们封装的黑胶是一样：

KBP210与2W10的区别与联系

整流桥KBP210与2W10之间有什么区别呢，上图所示，KBP210与2W10是两种不同的封装，虽然它们的参数是一样的，都是2A，1000V，KBP308_65W快充桥堆，但是他们的脚位是不同的，在电路当中是无法互相代替的，GBU808更薄，所以在电路当中对于空间的利用率更高，而KBU808则相对来说，成本要低一些，这两种封装的设计应用于不同的电路设计。

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导读：在电器中，总会出现静电放电的情况。所以为了产品的持久性，所以要清楚了解它的规范与及危害。今天强元芯电子就与你一起学习如何避免这些危害！强元芯12年专注于电源领域，更是ASEMI品牌，品牌值得信赖。

强元芯ASEMI技术工程师告诉你，应该注意的危害有：

一、静电放电的危害

1、ESD造成元器件失效

当带电物体通过器件形成一个放电通路时或带电器件本身有一个放电通路时，就会产生ESD而造成器件的失效，失效模式有突发性完和潜在性缓慢失效。

（1）突发性失效：器件的芯片介质击穿或烧毁、一个或多个电参数突然劣化，失去规定功能的失效。通常表现为开路、短路、以及电参数严重漂移。概率约10%

（2）潜在性缓慢失效：器件受到ESD造成轻微损伤，器件的性能劣化或参数指标下降而成为隐患，使该电路在以后的工作中，参数劣化逐渐加重，终失效。

2、 ESD引起信息出错，导致设备故障

ESD会在设备各处产生一个幅值为几十伏的干扰脉冲，引起信息出错，导致设备的故障：ESD也可产生频带几百千赫～几十兆赫、电平高达几十毫伏的电磁脉冲干扰。当脉冲干扰耦合到电路时，也会引起信息出错，导致设备的故障。

强元芯电子有限公司，12年专注于电源领域，致力于半导体行业，坚持“客户至上”的经营理念，我们用心，只为让你放心。从心所愿，强悍出击，相信你的选择没有错。强元芯，期待与您携手前进、共创辉煌！

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