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摘要 : 导读：在ASEMI半导体满足你对晶圆的好奇心，术语就在这里，ASEMI半导体为大家介绍了将近50个晶圆的术语，一时间介绍太多怕大家接受不了，但是有好东西ASEMI半导体还是

导读：在ASEMI半导体满足你对晶圆的好奇心，全部术语就在这里，ASEMI半导体为大家介绍了将近50个晶圆的术语，一时间介绍太多怕大家接受不了，但是有好东西ASEMI半导体还是毫不吝啬跟大家分享的，这不，又来啦~

凹槽 - 没有被完全清除的擦伤；手工印记 - 为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记；雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状；空穴 - 和正电荷类似，是由缺少价电子引起的；晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成；激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号；光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程；局部光散射 - 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。

批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内；多数载流子 - 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子；机械测试晶圆片 - 用于测试的晶圆片；微粗糙 - 小于100微米的表面粗糙部分；索指数 - 三个整数，用于确定某个并行面。这些整数是来自相同系统的基本向量；小条件或方向 - 确定晶圆片是否合格的允许条件；堆垛 - 晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷；桔皮 - 可以用肉眼看到的粗糙表；颗粒 - 晶圆片上的细小物质；颗粒计算 - 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具；颗粒污染 - 晶圆片表面的颗粒。

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摘要 : 我们已经了解了GPP工艺，并且知道它与普通工艺相比较的一个优势，这一篇当中我们来说一个它的另一个优势，关于产品稳定性方面，为什么用GPP性能更加稳定

ASEMI半导体玻璃钝化工艺导读：

上一篇当中，我们已经了解了GPP工艺，并且知道它与普通工艺相比较的一个优势，这一篇当中我们来说一个它的另一个优势，关于产品稳定性方面，为什么用GPP性能更加稳定：

ASEMI半导体GPP芯片的优势二

玻璃钝化工艺与传统的保护胶工艺的第二个优势在于其性能稳定和耐高温方面：首先在稳定性方面，玻璃钝化工艺本身漏电就要比传统工艺要小，这个是技术上的改进，尤其是HTRB（高温反向偏置），玻璃钝化工艺做出的就要好很多，而传统保护胶工艺仅能承受100度左右的HTRB，K310二极管供应商，玻璃钝化工艺却在GPP达到150度时，表现依然出色。

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摘要 : ASEMI工程师各方位解析肖特基 MBR60200PT，我们将逐一对MBR60200PT的各项参数进行细致讲解，让你真正的了解它的作用与性能，在电路设计时更好的选择。

下图所示为ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，供应商，为了更直观方便的说明，我们以

MBR60200PT的规格书为模板进行解说：

下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代

表的意义及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压

从字面的意思当中我们可以知道它所代表的是肖特基二极管的反向耐压，它的意义在于肖特基反向可以承受的电压，在这个数值范围内，肖特基二极管是安全的。

***erage Rectified Forward Current ——平均整流正向电流

这项参数所表示的是肖特基二极管的正向可通过电流，并且是电流，同样，在这个电流范围内，肖特基二极管也是不会损坏的。

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)

这个参数所代表的是引脚铜材本身的一个系数，热阻系数，反映是它的散热性能，它的意义在于散热性能越好，产品越稳定。

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流

浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流，K510二极管供应商，浪涌电流持续的时间非常短，在微秒级别，与正向整流电流在区别在于，正向整流指的是二极管持续工作可承受的电流，而浪涌电流它的意义在于体现二极管的正向抗冲击能力上。

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流

这项参数与正向峰值浪涌电流很相似，不同的是它指的是反向浪涌，是二极管反向抗冲击能力的体现。

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率（额定VR）

这个参数指的是二极管可以在某一个时间段内可以承受电压变化的能力，这个数值越大，表示它承受电压变化的能力越强，它的意义在于体现二极管的稳定性，可以理解为数值越大，性能越稳定。

Operating Junction Temperature—— 工作温度

Storage Temperature ——储存温度

关于温度的这两项，我们之所以放在***后一起解释，因为关于温度的这两个参数很好理解，它所代表的仅仅是肖特基存储温度和正常工作的温升值。

IR 表示的参数是肖特基二极管的反向泄漏电流，理论上或者是理想状态下，我们认为二极管是正向导通，反向截止的，但实际上，肖特基二极管反向也是有电流通过的，只不过与正向可通过的电流相比，这个数值很小，很多时候可以忽略，我们可以这样去理解，如果反向的泄漏电流可以变大，增大到与正向电流相同的程度，那么***后这个二极管相当于变成了一根导线，完全失去了单向导通的能力，并且反向漏电不为整个电路提供任何电能，本身也是一种损耗，这种损耗并不是我们所希望的，K54二极管供应商，所以在实际的工业应用当中，反向泄漏电流的数值越小越好。

VF 这个参数指的是二极管的正向饱和压降，不论是导体还是半导体，本身都有电阻，当其中有电流通过时，必然会有电压产生，这个电压我们称作它压降，而饱和压降指的是在二极管通过正向电流所产生的压降，而压降的产生必然会损耗电路当中电能，这个不是我们想要的，并且二极管属于半导体，其本身电阻非常大，所以压降是体现二极管本身耗能的一个指标，这个数值越小，表示电流通过时在二极管上的损耗也越小。

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