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PL3391A 内部集成软启动电路，PL3330，典型启动时间为 4ms。系统上电后，PL3330监控IC，当 VDD 达到 VDD_ON，同步整流芯片PL3330，芯 片开始工作，CS 端峰值电压会逐步增加，从而缓 解外部元件在芯片启动过程中的电压应力。芯片 每次重启都伴随软启动。

芯片通过对输出采样并反馈到光耦获得高精度的恒压输出。 内置的斜率补偿电路确保了峰值电流模控制的稳定性。内部 集成的频率抖动功能可以改善EMC，PL3330电源芯片选型，降低EMI滤波成本。

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ASEMI MCU 是以1T 8051 为核心的8 位单片机，可运行至20Mhz，具有4K/8K/16K字节内建Flash 程序存储器、256 1K 字节的SRAM、256 字节的EEPROM、4K ROM（ISP 应用）等，以及GPIOs、UART、SPI、I2C、定时器、ADC、触控按键（T.K.）、温度传感器（T.S.）、DAC、运算放大器（OPA）、模拟比较器（COMP.）、PWM、PLL、看门狗、低压复位和欠压检测等功能。

关键特性：车规级（-40°-125°C ）、低待机、强抗干扰、强保密（IC 卡级）。

主要应用：智能家居、小家电、智能照明、电机驱动、电动工具、触摸按键、汽车遥控、PD、QC、电池管理等。

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PL51WT020周边特性

14个中断源具有4个中断优先级

2 个外部中断：INT0B 和 INT1B

T0amp;T1 溢出中断

T2 溢出、重载、比较/捕获中断

UART 收发中断

EEPROM 写结束中断

模拟比较器中断

键盘中断

触摸按键中断

SPI 中断

内置地址及FEC、CRC校验功能

极短的信道切换时间，可用于跳频

内置12MHz RF晶振两端电阻、电容

内置ANT、ANTB天线端10K下拉电阻

使用微带线电感和双层PCB板

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