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PL51WT020特性
射频RF
低功耗高性能2.4GHz RF无线射频收发SOC
无线速率:1Mbps
内置硬件链路层
内置接收强度检测电路
支持自动应答及自动重发功能
内置地址及FEC、CRC校验功能
极短的信道切换时间,PL3331,可用于跳频
内置12MHz RF晶振两端电阻、电容
内置ANT、ANTB天线端10K下拉电阻
使用微带线电感和双层PCB板
基本特性
单周期8位ET8051 CPU内核
集成9 4(移位)触摸按键功能,无需增加外
接元件
工作频率@工作电压: ~4MHz@2.0~3.6V;
~8MHz@2.4~3.6V;~12MHz@2.7~3.6V
工作频率:~12MHz
工作温度:-45℃ ~ 105℃
振荡器类型
外部晶体振荡器:400KHz ~ 12MHz
内部 RC 振荡器:4/8/12MHz (±2%) 和32KHz
外部时钟:400KHz ~ 12MHz
多达15个双向通用I/O口仅作为输入端,具有上拉电阻
推挽输出驱动能力:10mA (@3V, 总电流lt;100mA)
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PL3322B 内部集成 VDD 检测电路,系统上电后, 当 VDD 端电压超过芯片的阈值电压时,芯片开 始工作并输出 PWM 信号,进而驱动功率 MOS 管。为了防止 VDD 上升过程中抖动对芯片的影 响,内部设置了阈值迟滞。芯片的上升阈值和下 降阈值典型值为 16V 和 8V。
9.3 恒压/恒流调节 恒压/恒流的调节主要是基于系统工作在 DCM 模 式。 工作于 DCM 模式的反激式开关电源,可以通过 辅助绕组来采样输出电压。功率管导通时,物联网芯片PL3331,原边 电流逐步增加,功率管关闭后,原边电流传输到
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PL3327B 是一系列***率、高集成度、原边调节的 PWM 功率开关,其主要应用于小于 18W 的 AC/DC 反激式开关电 源。PL3327B 通过去除光耦以及次级控制电路,PL3331电源管理IC,简化了充 电器/适配器等传统的恒流/恒压的设计,从而实现高精度的 电压和电流调节,调节波形如下图 1 所示。
复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪 音、***率。而且高集成的功率 MOSFET 能够降低外部 PCB 的面积以及系统的成本。 PL3327B 同时具有多种保护功能:逐周期峰值电流检测、欠 压保护、过压保护等。
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