编辑-LL

摘要 : 本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管：雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下可以产生高频振荡。

本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管：

雪崩二极管（***alanche Diode） 雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下 可以产生高频振荡。 雪崩二极管利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越半导体晶片需要一定的时间，所以 其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，六级能效，在电流和电压关系上就会 出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用微波通信、雷达、遥控、遥测、仪 器仪表等设备中。 双向触发二极管 双向触发二极管也称二端交流器件(DIAC)。 它是一种硅双向电压触发开关器件，当双向触发二极管两端施加的电压超过其击穿电压时，两 端即导通，导通将持续到电流中断或降到器件的较小保持电流才会再次关断。双向触发二极管 通常应用在过压保护电路、移相电路、晶闸管触发电路、定时电路中。 变容二极管 变容二极管(英文名称variable—Cacitance Diode，缩写为VCD)是利用反向偏压来 改变PN结电容量的特殊半导体器件。变容二极管相当于一个容量可变的电容器，它的两个电极 之间的PN结电容大小，随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而变化。当加到变容二极管 两端的反向电压增大时，变容二极管的容量减小。由于变容二极管具有这一特性，所以它主要 用于电调谐回路(如彩色电视机的高频头)中，作为一个可以通过电压控制的自动微调电容器。 选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、反向工作电压、正向电流和零偏压结电 容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极 管。

编辑-LL

摘要 : 强元芯代理台湾ASEMI品牌超快***二极管，8A600V快***二极管型号MUR860AC原装现货，ASEMI拳头产品MUR860AC应用大功率变频器.

美丽中国节能环保的导向促使大功率变频设备的春天到来，那么大功率变频设备要

用稳定性好的ASEMI品牌MUR860AC快***二极管。

节能减排，定频换变频的脚步已经到来，大功率变频器因为能智能调节工作频率，降低很多不

必要的浪费渐渐成为主流用品的性能高要求，因此也更需提升整流器件的高性能。台湾鼎芯

公司十余年专注整流器件研发制造领域，推出了能适应高强度工作环境要求的MUR860AC快恢

复二极管。一款专门为大功率变频设备而生的快***二极管MUR860AC，大大提升了变频设备

的性能，迎接变频时代的到。ASEMI品质快***MUR860AC电性性能好，工艺技术成熟，性

价比高，大功率变频设备要用稳定性好的ASEMI品牌MUR860AC快***二极管。

ASEMI品牌快***二极管MUR860AC性能好，你值得采购。

台湾ASEMI品牌快***二极管MUR860AC真正全部采用，进口高性能俄罗斯Mikron扩散高抗击芯

片，内置70Mil大规格整流芯片；确保平均输出8A的电流；反向耐压值达到600V；正向压降

1.05V；漏电流5ua；反向***时间35ns。高品质的铜材质镀锡引脚与高品质的SIO2塑封硅胶，台

资工厂封装测试。引进台湾健鼎、奎一体化生产测试线，确保每一批出货都合格。

ASEMI品牌快***二极管MUR860AC是变频设备很好的选择。

编辑-LL

摘要 : 整流二极管分为点接触型和面接触型。因为大部分电子产品通过的电流都比较大，所以整流二极管也常用面接触型封装。可是，从小功率到大功率电源，怎样才能将整流二极管的损耗降到较低值呢？

整流二极管是市场上电子产品的主要构成部分，是一种常见的电子元器件。整流二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。

整流二极管分为点接触型和面接触型。因为大部分电子产品通过的电流都比较大，所以整流二极管也常用面接触型封装。

整流二极管需要介绍的参数很多，这里咱们着重讲解“正向平均整流电流”，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。这个参数是整流二极管的主要参数，也是常用给的选择整流二极管的主要依据。但是***人士都知道，整流二极管在电源损耗方面有一个大难题：从小功率到大功率电源，怎样才能将整流二极管的损耗降到较低值呢?

步要讲的就是计算设计RC sunbber。RC吸收的本质是转移损耗，MBR20100CT六级能效，因为电容两端的电压做不到突变，所以我们可以采用***电压尖峰的放法。

调试方法如下，先测量振荡波形，读出振荡频率，然后加C，使振荡频率减半，再计算电路的寄生电容、电感，***后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小，或直接接电阻试验，直到振荡基本消失为准。

对于RC是否是纯粹的转移效率，已经经过实验证明，RC参数不合理会降低效率，而合理的RC反而能提升效率。当RC不合理时，很大几率是C或者R的选取出现了问题。C越大，会带来越大的损耗，而且当R阻尼不够时，US1G六级能效，反而会引起严重震荡。但是C太小，吸收尖峰的能力却不够。所以我们只能采用测量加计算，再调试的办法。是个折中的选择。

比较通用简单的设计办法是：在没有加吸收之前，测试震荡频率，假如频率是f，SS54六级能效，那么开始并电容，并了电容震荡频率自然下降，那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半，就是0.5f。

这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数，电感L。***后取R=(L/C)开根号。

MBR20100CT六级能效-ASEMI-六级能效由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（www.asemi360.com）为客户提供“电源IC,整流桥,肖特基,快***全系列”等业务，公司拥有“强元芯”等品牌。专注于二极管等行业，在广东 深圳 有较高知名度。欢迎来电垂询，联系人：李强。同时本公司（www.asemi88.cn）还是从事单相整流方桥，单相整流桥定制，单相整流桥价格的厂家，欢迎来电咨询。