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PL3369B 为小功率的充电器/适配器应用提供了很 有效的解决方案,其新颖的恒流/恒压控制使得系统 不需要次级反馈电路,并能实现高精度的恒流/恒压 输出,PL3116B手机快充芯片,从而满足更严格的能源损耗要求。
PL3369B 内置了多种保护功能,包括:逐周期限流 保护,VDD 过压/欠压保护,输出开/短路保护,过 温保护等。 当 PL3369B 的 VDD 电压下降到 UVLO(ON),PL3116B电源芯片选型,芯片 将不工作,同时会进入重启状态。
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PL3330 包含功率管开启和关断的消隐功能。当功率 管开启后,会至少保持约 TON_MIN;当功率管断开后, 会至少保持约 TOFF_MIN。保证无论开关,功率管都 会持续一段时间,减少受干扰的可能。TON_MIN 和 TOFF_MIN的典型值分别为 650ns 和 1.9us。
9.2 系统上电
PL3330内部集成VDD 检测电路,系统上电完成前, 功率管一直处于断开状态,副边电流流过功率 MOS 的体二极管,直到 VDD 端电压超过芯片的启动阈 值电压时,PL3116B触摸芯片,芯片开始正常工作。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,PL3116B,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
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PL3327B 是一系列***率、高集成度、原边调节的 PWM 功率开关,其主要应用于小于 18W 的 AC/DC 反激式开关电 源。PL3327B 通过去除光耦以及次级控制电路,简化了充 电器/适配器等传统的恒流/恒压的设计,从而实现高精度的 电压和电流调节,调节波形如下图 1 所示。
复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪 音、***率。而且高集成的功率 MOSFET 能够降低外部 PCB 的面积以及系统的成本。 PL3327B 同时具有多种保护功能:逐周期峰值电流检测、欠 压保护、过压保护等。
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