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摘要 : 导读:本文将于大家分享肖特基二极管MBR30100PT的含义。在半导体世家中,二极管是处于元老的地位。二极管***明显的性质就是它的单向导电特性,半导体二极管由一个PN结,再加上
导读:本文将于大家分享肖特基二极管MBR30100PT的含义。在半导体世家中,二极管是处于元老的地位。二极管***明显的性质就是它的单向导电特性,半导体二极管由一个PN结,再加上电极和引线,封装而成。
二极管的地位,半导体元老
半导体***关键的两种元素是硅和锗,大部分半导体元器件都含有硅。有这么一个段子,美国有个硅谷,垃圾处理器整流桥,为什么叫硅谷,因为那是由硅元素堆起来的城市。虽然采取了夸张手法,但是确实美国硅谷在一开始就有很多半导体厂商在那里落户。
咱们言归正传,在半导体世家中,二极管是处于元老的地位。二极管***明显的性质就是它的单向导电特性,半导体二极管由一个PN结,再加上电极和引线,ABS10垃圾处理器整流桥,封装而成。今天我们以MBR30100PT为例,来给大家讲解肖特基二极管的相关概念。
肖特基二极管MBR30100PT,隐藏的含义
MBR30100PT ,这个只有几个字母和数字组成的词组,2W10垃圾处理器整流桥,有着多层意思:
M,是以***早的半导体公司—MOTOROLA取名;
B,是指BARRIER,也就“势垒”的英文单词,也可以翻译为“壁垒,屏障”等等;
R,是指整流器的英文单词“RECTIFIER”;
30:是指大正向平均整流电流30A;
100:是指大反向峰值电压100V
P:是表示TO-247,也称为TO-3P,是肖特基二极管的一种封装
T:表示这是属于管装,也就是用塑料管装置。
这就是你所不知道的MBR30100PT!
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导读:在电器中,总会出现静电放电的情况。所以为了产品的持久性,所以要清楚了解它的规范与及危害。今天强元芯电子就与你一起学习如何避免这些危害!强元芯12年专注于电源领域,更是台湾ASEMI品牌在大陆的***商,品牌值得信赖。
强元芯ASEMI技术工程师告诉你,应该注意的危害有:
一、静电放电的危害
1、ESD造成元器件失效
当带电物体通过器件形成一个放电通路时或带电器件本身有一个放电通路时,就会产生ESD而造成器件的失效,失效模式有突发性完全失效和潜在性缓慢失效。
(1)突发性完全失效:器件的芯片介质击穿或烧毁、一个或多个电参数突然劣化,完全失去规定功能的失效。通常表现为开路、短路、以及电参数严重漂移。概率约10%
(2)潜在性缓慢失效:器件受到ESD造成轻微损伤,器件的性能劣化或参数指标下降而成为隐患,使该电路在以后的工作中,参数劣化逐渐加重,***终失效。
2、 ESD引起信息出错,导致设备故障
ESD会在设备各处产生一个幅值为几十伏的干扰脉冲,引起信息出错,导致设备的故障:ESD也可产生频带几百千赫~几十兆赫、电平高达几十毫伏的电磁脉冲干扰。当脉冲干扰耦合到敏感电路时,也会引起信息出错,导致设备的故障。
强元芯电子有限公司,12年专注于电源领域,致力于半导体行业,坚持“客户至上”的经营理念,我们用心,只为让你放心。从心所愿,MB6S垃圾处理器整流桥,强悍出击,相信你的选择没有错。强元芯,期待与您携手前进、共创辉煌!
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摘要 : 强元芯电子有限公司是台湾ASEMI品牌在大陆的***商,12年的专注也让强元芯成为了半导体行业的领跑者,也使得我们对半导体光电子器件的了解甚多。要更好的使用光电耦合器就要知道它的
导读:强元芯电子有限公司是台湾ASEMI品牌在大陆的***商,12年的专注也让强元芯成为了半导体行业的领跑者,也使得我们对半导体光电子器件的了解甚多。要更好的使用光电耦合器就要知道它的技巧,今天强元芯就告诉你到底有哪些技巧!
强元芯的技术工程师告诉我们,采用光耦隔离可以很好地实现弱电和强电的隔离,达到抗干扰目的。但是,使用光耦隔离需要考虑以下几个问题:
① 接用于隔离传输模拟量时,要考虑光耦的非线性问题;
② 传输数字量时,要考虑光耦的响应速度问题;
③ 如果输出有功率要求的话,还得考虑光耦的功率接口设计问题。
1、提高光电耦合器的传输速度
当采用光耦隔离数字信号进行控制系统设计时,光电耦合器的传输特性,即传输速度,往往成为系统数据传输速率的决定因素。
在许多总线式结构的工业测控系统中,为了防止各模块之间的相互干扰,同时不降低通讯波特率,我们不得不采用高速光耦来实现模块之间的相互隔离。常用的高速光耦有6N135/6N136,6N137/6N138。但是,高速光耦价格比较高,导致设计成本提高。这里介绍两种方法来提高普通光耦的开关速度。
由于光耦的电流传输比较低,其集电极负载电阻不能太小,否则输出电压的摆幅就受到了限制。但是,负载电阻又不宜过大,负载电阻RL越大,由于分布电容的存在,光电耦合器的频率特性就越差,传输也越长。
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