MUR2100优质选芯-ASEMI-优质选芯
作者:鼎芯实业2019/12/1 3:49:29

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摘要 : 上一篇文章,ASEMI半导体给大家讲解了电阻器的检测方法。这会儿ASEMI半导体再次倾情奉送,我们这次要分享的,MUR2100优质选芯,是关于电解电容器等的检测方法与经验。包括固定电容器和电解电容器。不要眨

上一篇文章,ASEMI半导体给大家讲解了电阻器的检测方法。这会儿ASEMI半导体再次倾情奉送,我们这次要分享的,是关于电解电容器等的检测方法与经验。包括固定电容器和电解电容器。不要眨眼~

ASEMI半导体要讲述的,就是***常见的固定电容器的检测。电容器的检测和电阻器不同,特别是固定电容器,需要分成三个阶段来测试。

一个阶段是电容在10pF以下,电容和整流桥有一个相似的地方就是容量小体积也会小。所以要检测10pF以下的固定电容器,只能采用万用表来进行定性的检查。测量时,MUR3040PT优质选芯,ASEMI半导体提醒您,请选用R×10k挡,这样检测出来的数据更为精准一些。用两个表笔分别接电容的两个引脚(可以不分正负极),这个时候的阻值正常情况下应该为无穷大,如果出现阻值为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

第二个阶段是检测10PF~0.01μF固定电容器,检测这类电容,注意是要检测是否有充电现象。ASEMI半导体提醒您,这个时候就要选用R×1k挡了。应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。

第三个阶段是相对于0.01μF以上的固定电容器了,用万用表的R×10k挡直接测试有没有内部短路或漏电即可。

下一个我们要讲的,是大家***熟悉的电解电容器的测试。电解电容和固定电容的区别,就在于容量的大小上,一般情况下,电解电容的容量要比固定电容大很多。

测试的时候,将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极。(ASEMI半导体温馨提醒,和固定电容不同,电解电容测试时需要分清正负极)在测试中,如果指针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。









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摘要 : 快***二极管应用实际电路 发热原因解析,ASEMI半导体12年专注快***二极管研发生产制造,性能大电流快***二极管品质值得信赖。

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ASEMI品牌快***二极管再创业界丰碑,新款高压高压快***二极管业界向着高压产品市场快步发展。ASEMI半导体凭借着台湾总部雄厚的技术研发实力,除了在常规耐压领域有着较高的占有率,更是快速切入了高压快***的蓝海市场,现在已经是国内的高压快***二极管主流供应商。

【电流配比不足是 快***二极管应用电路发热的 重要原因】

电流配比不足可以说是引起快***二极管应用电路中发热的原因了,一般有选择低配比和采购到不足电流的小芯片产品等两种情况。肖特基和快***二极管都有一个特性就是经过大电流时会温升特别快,一般1:3或者1:4的配比大多会出现这样的情况,而配比继续加大至1:5甚至更高的时候,温度才会明显被控制。其实温度高不可拍,因为压降会随之降低,在一定70-80度的范围内都是比较适宜的区间。倘若超过这个范围了,那么就属于配比不足了,应该选用更大电流的产品。

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摘要 : 本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管:雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件,它在外加电压的作用下可以产生高频振荡。


本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管:

雪崩二极管(***alanche Diode) 雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件,它在外加电压的作用下 可以产生高频振荡。 雪崩二极管利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越半导体晶片需要一定的时间,所以 其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会 出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用微波通信、雷达、遥控、遥测、仪 器仪表等设备中。 双向触发二极管 双向触发二极管也称二端交流器件(DIAC)。 它是一种硅双向电压触发开关器件,当双向触发二极管两端施加的电压超过其击穿电压时,两 端即导通,导通将持续到电流中断或降到器件的较小保持电流才会再次关断。双向触发二极管 通常应用在过压保护电路、移相电路、晶闸管触发电路、定时电路中。 变容二极管 变容二极管(英文名称variable—Cacitance Diode,缩写为VCD)是利用反向偏压来 改变PN结电容量的特殊半导体器件。变容二极管相当于一个容量可变的电容器,优质选芯,它的两个电极 之间的PN结电容大小,随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而变化。当加到变容二极管 两端的反向电压增大时,变容二极管的容量减小。由于变容二极管具有这一特性,所以它主要 用于电调谐回路(如彩色电视机的高频头)中,作为一个可以通过电压控制的自动微调电容器。 选用变容二极管时,应着重考虑其工作频率、反向工作电压、正向电流和零偏压结电 容等参数是否符合应用电路的要求,应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极 管。


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