到目前为止，提高聚酰***抗原子氧性能的手段主要有：复合法、填充法以及化学改性法。复合法与填充法尽管能有效地改善聚酰***www.pibomo.com的抗原子氧性能，但仍存在很大的局限性。化学改性法着眼于聚酰***分子链，旨在分子水平上提高聚酰***的抗原子氧性能，具有***、均一的优势。目前主要在PI分子链中引入磷、硅、锆等元素来提高抗原子氧性能。考虑到经济效益以及改性聚酰***的综合性能，目前多在分子链中引入硅元素。
      近几年，一种超支化聚硅氧烷（Hyperbranched polysiloxane，简称“HBPSi”）为聚酰***材料的改性提供了新的思路。与传统的线性聚合物改良剂相比，超支化聚硅氧烷具有特殊的超支化结构，因而在降低聚合物粘度、结晶性以及分子链之间的缠结、提高聚合物溶解性等方面得到了广泛应用。其特殊的超支化结构可负载更高含量的硅元素，而硅元素在提高PI抗原子氧性能方面具有潜在的应用价值。将含有氨基的超支化聚硅氧烷与二酐反应可得到分子主链含有超支化聚硅氧烷结构的新型聚酰***材料，实现了在分子水平上对PI的改性，有效地解决了复合法中涂层易碎以及填充法中填料难以均匀分散等问题，同时通过调整超支化聚硅氧烷的支化度、分子量以及氨基含量可以获得抗原子氧性能与综合力学性能优异的薄膜材料。原子氧***实验表明，HBPSi聚酰***薄膜www.mxjycl.com在高热、高原子氧含量的环境中会在表面产生一层SiO2惰性防护层，阻止原子氧对基层材料的进一步刻蚀，使材料表现出“自修复”或者“自愈合”的能力。超支化聚硅氧烷庞大的椭球状结构具有较明显的空间位阻，能够增大分子链间距与聚合物的自由体积，从而有效地阻止热量与电荷的传递，因此超支化结构的引入***了电荷转移络合物的形成，同时还赋予了PI良好的耐热性与光学性能，从而为HBPSi聚酰***薄膜在航空航天领域的广泛应用提供了有力支撑！