微型化已经成为印刷线路板和电子封装材料发展的主要方向之一，其中聚合物基电子封装材料在电子器件封装应用中具有广阔前景。为了满足线路板和器件日益增大的导热(散热)需求，必须考虑让电介质材料具有较大的热导率，目前在PI中填充氮化铝(A1N)或碳化硅(SiC)以提高材料的导热性能，逐渐成为研究热点。

    采用KH550偶联剂对氮化铝粒子表面进行***处理，提高有机一无机两相界面的结合力，然后使用原位聚合将纳米氮化铝加入到聚酰***中，纳米氮化铝含量为13％时，纳米复合薄膜的导热系数由纯PI膜的0．16 w／(m·K)提高至0．26W／(m·K)。

    公开了一种高导热聚酰***薄膜的制备方法，使用表面经偶联剂处理后的氮化铝或碳化硅改性传统的聚酰胺酸树脂，再流延至不锈钢带上，经高温干燥后得到高导热低热膨胀系数的PI膜，其导热系数达到0．61 w／(m·K)以上，而热膨胀系数在30 ppm／K以下。

    传统的PI膜导热系数仅为0．16 w／(m·K)左右，应用于微电子的高密度和高速化运行时容易出现电路过热，影响元器件和集成电路的稳定性，高导热PI膜是顺应市场需求而产生的产品，其制备工艺和原理与耐电晕PI膜类似，都是将具有特殊功能的纳米填料掺杂人到聚酰胺酸树脂中，再高温***化成膜，使得薄膜具有相应的功能。同样，高导热PI膜所需要解决的问题也是如何将纳米填料均匀分散在树脂体系中。