1、交流参数
　（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量即：β= △Ic/△Ib
　（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化即：α=△Ic/△Ie
　（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα
　（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是***地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
　2、直流参数
　（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。
　（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。即Iceo=(1+β)Icbo，Iceo值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
　（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
　（4）直流电流放大系数β1这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib