氢气纳米微气泡曝气污水曝气处理

氢气纳米微气泡曝气只需投入调整槽即可大幅降低BOD，大幅削减暴露风量（电费）、凝集、剩余污泥（产废费用）、***使用量！氢气纳米微气泡曝气是一种能够低成本处理排水处理的新技术。作为活性污泥的前处理装置，对于提高负荷增加的能力，也可以增设槽或不施工，低成本对应，下水道放流的情况下，无活性污泥的处理也可以，费用削减效果巨大！同时氢气纳米微气泡曝气也对应化学工厂的难分解性处理！

氢气纳米微气泡曝气应用举例一栏

使用异常高频交流电解（极点和±极点，30 kHz）在0.1-1.0 m mol / L Na2SO4溶液中产生了氢氧化***纳米微气泡曝气。气泡尺寸分布为20-600nm。在100 nm的尺寸分布位置，气泡数密度为每毫升约400万。煮沸2分钟的溶液的气泡数密度没有降低，而是略有增加。26天后，发现氢气纳米微气泡曝气几乎稳定存在。

氮化铝作为深紫外线LED吸引了人们的注意，但是界面的平坦度对于提至关重要。化学机械抛光（CMP）被用作平坦化处理技术，并且期望通过将氢气纳米微气泡曝气引入CMP中来提高抛光效率。在这项研究中，我们基于分子动力学方法使用氢气纳米微气泡曝气对氮化铝衬底进行了抛光模拟，并阐明了氢气纳米微气泡曝气塌陷引起的射流会促进衬底氧化。

氢气纳米微气泡曝气压坏时产生的射流对半导体衬底研磨的影响

分子动力学模拟氢气纳米微气泡曝气压坏时产生的射流对半导体衬底研磨的影响

随着功率半导体器件的需求增加，要求CMP提高SiC、GaN等高硬度半导体基板的研磨速度。我们考虑了氢气纳米微气泡曝气压坏时产生的射流的利用。由于射流具有比冲击波更强的冲击力，因此通过使喷气式流与基板碰撞，可以期待研磨速度的提高。因此，在本演讲中，我们报告了利用分子动力学计算分析了氢气纳米微气泡曝气射流对SiC半导体衬底的影响的结果。

氢气纳米微气泡曝气收缩伴随着气体溶解

{精}的收缩过程如下所述。氢气纳米微气泡曝气在回旋式发生装置的情况下，气体吸入部的压力只有0.06 MPa比大气压减压，所以回旋腔部和氢气纳米微气泡曝气内也是这种压力。氢气纳米微气泡曝气发生在加上大气压和静水压的压力下的液体中，因此气泡从液体受到压力开始收缩。另外，由于气泡界面的不均匀性，气体从界面的薄弱部分开始喷出，并逐渐收缩和溶解。另一方面，还会产生内部气体的高压高温。如果变成氢气纳米微气泡曝气，内部气体的喷出会更加剧烈。20μm的MB收缩，10μm以下的MNB急剧收缩(Fig.3) 1)。即使是MB，收缩·溶解的气泡直径也有限制，65μm以上的气泡反而膨胀。