电容器在电源中的应用之浪涌电压保护

可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。

开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。

在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。2)准确选用投(切)开关断开并联高压陶瓷电容器时，因为开关静、动触头间的电弧效果，将会导致操作过电压发作，除了请求将投(切)开关的容量选得比并联电容器组的容量大35%摆布以外，还有必要是触头间绝缘***强度高，电弧重燃性小，灭弧性能好的断路器。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。

电容器中的临界电压是什么呢？

电容器中的临界电压是电能表能够启动工作的1低电压，此值为参比电压下限（对宽量程的电能表此值为参比电压下限）的60%。电能表的启动工作是指电能表正常计量、显示和记录事件等，设计的1低电压可低于此临界值。

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电容器之独石电容是什么呢？

电容器之独石电容多层陶瓷电容器的别称， 简称MLCC，广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。

电容器在yilaio器械中选型及应用

高压电弧防护电容解决方案

为解决这一问题，Vishay推出了一系列的HVArc(高压电弧)防护MLCC(多层贴片陶瓷电容)，可防止电弧放电，同时节省空间。这些新器件在较高的电压定额内具有较大容量，并且提高了电压击穿的耐受能力。高压电弧放电会造成断路，并有可能损坏其他元器件。标准的高压***D电容终将会失效短路，这取决于电弧放电的次数和存在问题的部分。Vishay HVArc防护电容可以吸收所有的能量，因此，此电容能够在高压下进行正常工作，至少在达到高压击穿极限之前，不会产生***性电弧放电。新产品和新功能的电子整机日新月异、产品的市场寿命越来越短，这对电子元件各个方面要求更高。

HVArc防护电容的VBD分布由器件采用的独特设计来控制，VBD可达3kV或以上。本产品采用了NPO和X7R电介质。