智能电容器的清理方法

精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。

智能电容器安装在屋内或屋外，长时间的使用磁器套管表面会堆积灰层，若一吸湿，会导致智能电容器绝缘漏电，严重的情况会使保护设备跳脱。会影响用电系统的正常运行。

我们在清理智能电容器灰层的时候要注意切断电源，并且要搁置5分钟以上的时间，还需经地线放电后，才可以清楚磁器套管上的灰，以免触电。

为确保减少智能电容器使用期间出现故障的频率，提高使用安全性，所以要进行定期清理。不过需要注意的是在清理时一定要断开电源，确保工作环境的安全性。

严格控制运行电压防止电容故障

并联电容器的运行电压，必须严格控制在允许范围之内。即并联电容器的长期运行电压不得大于其额定电压值的10%，运行电压过高，将大大缩短电容器的使用寿命。随着运行电压的升高，并联电容器的介质损耗将增大，使电容器温度上升，加快了电容器绝缘的老化速度，造成电容器内绝缘过早老化、击穿而损坏。A、因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。此外，在过高的运行电压作用之下，电容器内部的绝缘介质会发生局部老化，电压越高，老化越快，寿命越短。

并联电容器长期运行电压若高于其额定电压的20%，其使用寿命将是正常情况的0.3倍左右。

所以，应根据当地电网运行电压的实际情况，合理选择额定电压值，使其长期运行电压不大于电容器额定电压值的1.1倍，当然实际运行电压过低也是十分不利的，因为并联电容器所输出的无功功率是与其运行电压的平方成正比的。若运行电压过低，将使电容器输出的无功功率减少，无法完成无功补偿的任务，失去了装设并联补偿电容器应起的作用。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。所以在实际运行中，一定要设法使并联电容器的运行电压长期保持在其额定电压的95%～105%，较高运行电压不得大于其额定电压值的110%

电容器的投切方式二

精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次

电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；高压电容作为一种不可或缺的重要电子元件，其研发制作工艺发展至今已经非常成熟，其家族阵容也得到了极大地扩充。缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右

电容器的投切方式三

复合开关投切电容装置（TSC MSC）复合开关投切装置工作原理是先由可控硅在电压过零时投入电容器，然后再由磁保持继电器触点并联闭合，可控硅退出，电容器在磁保持继电器触点闭合下运行。因而实现了投入无涌流运行不发热的目的。但为了降低成本，通常选用两只小功率，低耐压可控硅串联使用，利用可控硅20ms内电流可过载10倍额定电流的特性，过零投入，再用继电器闭合运行。而磁保持继电器触点偏小，且额定机械寿命一般为5万次，从目前投入市场使用情况看，可控硅时有击穿，磁保持继电器也有卡住不动作现象，工作不够稳定。优点：无涌流，不发热，节能；2、除上述指出的保护形式外，在必要时还可以作下面的几种保护：①如果电压升高是经常及长时间的，需采取措施使电压升高不超过1。缺点：价格高为接触器的5倍、寿命短、故障较多、有漏电流、投切速度0.5s左右