电容器在电源中的应用之浪涌电压保护

可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。

开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。目前，我国已成为***电容器生产大国和消费大国，产量位居***第1，销售额位居***第二。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。

在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。其可靠性和美观设计随意性，可以直接取代现有普通面板（金属键盘、薄膜键盘、导电胶键盘），而且给您的产品倍增活力。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。

电容器的使用寿命

瓷片电容的连续工作电压及环境温度与使用寿命有一定的关系。众所周知在电容器介质上的额定工作场强与其它电器相比是比较高的。所以在我国GB/T11024．1-2001中明确规定，陶瓷电容器的额定工作电压是电容器容许在电网中连续工作的较高电压。成形工艺中对多道工序进行了改进：降低了成形加工过程中产生的机械应力集中，降低了电容成形过程中电解液的局部过热，提高了电介质成形过程中电解液浓度和纯度的一致性。如果陶瓷电容器在标准规定的额定电压及以下运行，电容器产品90％能可靠地在网上运行20年，如果在高于其额定电压的电压下连续运行，电容器的实际使用寿命就将大大缩短，可靠性也将因电老化而下降。

其次，瓷片电容的使用寿命长短与环境温度有关系,在低于其允许较低温度的温度下投入运行，很可能会在电容器内部引发局部放电，从而加速其电老化而降低电容器的实际使用寿命。而另一方面，如果电容器长期在高于其较高允许的温度下运行，又会加速电容器的热老化。电容器之独石电容多层陶瓷电容器的别称，简称MLCC，广泛应用于电子精密仪器。因而一方面要选用其温度类别与实际的运行环境温度相适应的电容器。

瓷片电容的使用寿命长短是与诸多因素有关的。以上所介绍的是重要的两个因素，因此想要延长或者是保障其使用寿命，必须要保障这两个参数符合电容器的实际参数。

电容器在yiliao器械中选型及应用

用于MRI的新型无磁电容

磁共振成像(MRI)设备内部或周边电路中所使用的电容及其他电子元器件需要屏蔽或封装在MRI室外。电容的电介质、电极材料或端接材料中可能含有铁质或磁性材料。为提高图像分辨率，MRI系统的磁场水平不断提高，而MRI室内使用的电容会造成磁场畸变。这是串联电容器在线路中对电压降落的补偿作用是随通过电容器的负荷而变化的，具有随负荷的变化而瞬时调节的性能，能自动维持负荷端（受电端）的电压值。因此，需要减少或完全消除大部分电容中的磁性材料。

较新推出的系列MLCC在电极和端子结构中采用非铁材料，来满足消除磁化的要求。无磁结构可以采用X7R和NPO电介质。外形尺寸为0402至1812，符合相关规格。也包含击穿耐压，即***性测验，电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压。Vishay还在终测试时采用了专用电容分选设备，以确保所有无磁电容均能符合技术要求。