电容器在电源中的应用之浪涌电压保护

可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。

开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。

在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。HVArc防护电容的VBD分布由器件采用的独特设计来控制，VBD可达3kV或以上。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。

高压陶瓷电容器

高压陶瓷电容器,顾名思义,是以介电陶瓷为核心材料的环氧树脂灌封的电容器.随着时代有进步与科技发展,高压陶瓷电容器主要是指交流工作电压10KV以上的电容器,或者直流工作电压达到40KV以上的陶瓷电容器.(以往通常把250V或400V的Y电容也划分为高压陶瓷电容器.)

电容器在yiliao器械中选型及应用

新型钽电容

为解决降低额定电压的问题，Vishay研发部门开发出了具有更高额定电压等级的新系列***D固体钽电容器，额定电压高达75WVDC.50V额定电压电容在28V以及更高电压导轨中的应用引起了设计人员的担心，而采用Vishay新型的63V和75V钽电容，可达到额定电压降低50%的行业认可安全指标。串接在线路中的电容器，其容抗xc补偿线路的感抗xl，使线路的电压降落减少，从而提高线路末端（受电端）的电压，可将线路末端电压***1大可提高10%～20%。电介质成形更薄、更一致，使***D固体钽电容的额定电压能够达到75V，从而实现了提高额定电压的技术突破。成形工艺中对多道工序进行了改进：降低了成形加工过程中产生的机械应力集中，降低了电容成形过程中电解液的局部过热，提高了电介质成形过程中电解液浓度和纯度的一致性。新型电容T97系列的额定电压达75V，83系列达63V.