铝电解电容在工艺

精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次。

除了已经实现生产机械化和自动化以外，铝电解电容器在工艺上的进展主要是腐蚀相赋能两个工艺。电容是一个储能元件，通交流阻直流的特性，根据这个特性，可以用在电路中作为交流耦合，那么如何测试电容的好坏呢。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压电容器箔已达100，高压者达25)，而且可以根据对电容器的性能要求，电解电容符号，腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类、浓度、温度、原箔成分、结构、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型、波形、频率、电压等的动态平衡工艺。问题是如何得出的动态平衡和如何根据要求确定出传平衡。因此，对现在的腐蚀工艺还不能说已经达到了状态。

现 在的赋能工艺已经可以制造出的介质氧化膜，而且还可以根据要求不同，制造出不同的介质氧化膜，例如，对直流电容器，制造出γ和γ’型结晶氧化铝膜，对交流电容器，则为非晶膜。这几年电容器资猜中挑选十二***ben、二芳荃乙2烷((S油)的产品也被广泛应用。赋能工艺i大的进展是能将氢氧化铝膜转变成介质氧化铝膜、并能在其表面形成防水层。此外，还能消除介质膜的疵点和龟裂。

薄膜电容器的优点及制法

薄膜电容器的优点：薄膜电容器由于具有很多优良的特性，因此是一种性能***的电容器。此时智能电容器组虽已经过放电电阻自行放电，但仍会有部分残余电荷，所以还必须进行人工放电。它的主要等性如下:无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。基于以上的优点，所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部分，必须使用频率特性良好，介质损失极低的电容器，方能确保信号在传送时，不致有太大的失真情形发生。在所有的塑料薄膜电容当中，又以聚丙1烯(PP)电容和聚ben乙烯(PS)电容的特性为显著，当然这两种电容器的价格也比较高。然而音响器材为了提升声音的品质，所采用的零件材料已愈来愈高1级，价格并非重要的考量因素，所以PP电容和PS电容被使用在音响器材的频率与数量也愈来愈高。

薄膜电容器的制法：通常的薄膜电容器其制法是将铝等金属箔当成电极和塑料薄膜重叠后卷绕在一起制成。2、除上述指出的保护形式外，在必要时还可以作下面的几种保护：①如果电压升高是经常及长时间的，需采取措施使电压升高不超过1。但是另外薄膜电容器又有一种制造法，叫做金属化薄膜(Metallized Film)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属以做为电极。如此可以省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以薄膜电容器较容易做成小型，容量大的电容器。

电容器的投切方式二

精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各 15 次

电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右