英飞凌原装***，现货库存，量大价优，有需要请和明佳达电子咨询。IPA60R190P6场效应管规格：FET类型N通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流-连续漏极（Id）（25°C时）20.2A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id，Vgs时的***On（***大值）190毫欧@7.6A，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4.5V@630µ不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）37nC@10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）1750pF@100VFET功能-功率耗散（***大值）34W（Tc）工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO220-FP封装/外壳TO-220-3整包IPA60R190E6N沟道场效应管规格：FET类型N通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流-连续漏极（Id）（25°C时）20.2A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id，Vgs时的***On（***大值）190毫欧@9.5A，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）3.5V@630µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）63nC@10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）1400pF@100VFET功能-功率耗散（***大值）34W（Tc）工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装PG-TO220-FP封装/外壳TO-220-3整包)