IRF135S203分立半导体产品规格：FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）135V电流-连续漏极（Id）（25°C时）129A（Tc）驱动电压（***大***On，***小***On）10V不同Id，Vgs时的***On（***大值）8.4毫欧@77A，10V不同Id时的Vgs（th）（***大值）4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（***大值）270nC@10VVgs（***大值）&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）（***大值）9700pF@50VFET功能-功率耗散（***大值）441W（Tc）工作温度-55°C~175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装D²PAK（TO-263AB）封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB明佳达电子供应IRF135S203分立半导体RTL8211FS，大量库存现货，接受实单议价，对产品有需求的商友欢迎致电与我们联系。)