EM-5热电性能分析系统技术特点：适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料，提高测量精度温度检测采用C型热电偶，***适合测量Si系列热电材料(SiGe,MgSi等)*HT型真正可测基板上的纳米级薄膜（TF型）***大可测10MΩ高电阻材料标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表基于日本工业标准JIS(热电能JIS电阻率JISR1650-2)ZEM-5HTZEM-5HRZEM-5LTZEM-5TF特点高温型高电阻型***大电阻：10MΩ低中温型薄膜型可测在基板上形成的热电薄膜温度范围RT-1200℃RT-800℃-150℃-200℃RT-500℃样品尺寸直径或正方形：2to4mm2；长度3～15mm成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm薄膜厚度：≥nm量级薄膜样品与基板要求绝缘控温精度&plu***n;0.5K测量精度塞贝克系数：＜&plu***n;７％；电阻系数：＜&plu***n;７％测量原理塞贝克系数：静态直流电；电阻系数：四端法测量范围塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K；电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ分辨率塞贝克系数：10nV/K；电阻系数：10nOhm气氛减压Ｈｅ)