编辑-LL摘要:深圳市强元芯是台湾ASEMI品牌在大陆的***商，专营整流桥堆、肖特基二极管、快***二极管。从今日起，来强元芯购买快***二极管MURF2040CT，我们不要利润只要您的信任，就是这么任性！导读：深圳市强元芯是台湾ASEMI品牌在大陆的***商，专营整流桥堆、肖特基二极管、快***二极管。从今日起，来强元芯购买快***二极管MURF2040CT，我们不要利润只要您的信任，就是这么任性！12年***生产MURF2040CT，让您安心的强元芯！台湾ASEMI品牌快***二极管，系属TO-220塑封封装，强元芯拥有170人研发团队和8500㎡肖特基生产厂房，快***二极管均采用俄罗斯Mikron芯片，引进28条台湾健鼎全新测试线，只为确保快***二极管的高可靠性，让您更加放心。参数20A400V，正向电流可达20A，正向电压达1.10V，***时间快达35ns，工作温度可达-40℃~175℃。产品细节可见下图。我们只要您的信任，不求任何利润，我们就是这么任性！强元芯12年来专营整流桥堆、肖特基二极管、快***二极管。其中，***受广大客户欢迎的快***二极管MURF2040CT，被广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。我们的质量，不是您该担心的问题；您的信任，是我们***期待的结局！即日起，到强元芯来购买快***二极管MURF2040CT，我们保证高质、我们也保证***、我们保证******服务！就是这么任性！深圳市强元芯电子有限公司，12年专注于电源领域，致力于半导体行业，坚持“客户至上”的经营理念，我们用心，只为让你放心。编辑-LL摘要:MBR20200CTASEMI品牌，是台湾原装进口的，20A，200V，进口芯片，性能稳定，采用台湾***的生产工艺和生产设备，欢迎来电咨询！强元芯大陆代理的ASEMI品牌肖特基型号MBR20200CT，电性参数为20A、200V，TO-220铁头封装，能适应绝缘性要求高的环境，电性表现稳定优异，首芯奉献，业界真正实力派肖特基。MBR10100FCT广泛应用于小功率开关电源产品中做整流、续流等作用，采用俄罗斯进口晶圆Mikron芯片，核“芯”有保障！Mikron是俄罗斯半导体行业的技术佼佼者，有半个世纪的历史，积累了研发芯片好的经验，Mikron芯片具有高抗冲击能力，电性能稳定，可依赖性高。MBR20200CT内含两个阴极相连的肖特基二极管，要组成桥需要两个MBR20200FCT，其两个交流输入极要互相连接，在每次交流方向变化时，都会有两个二极管在工作，利用二极管单向导通的特性，把方向不断变化的电流变为同一方向。内置102Mil大规格整流芯片；确保平均输出20A的电流；反向耐压值达到200V；正向压降0.54V；漏电流20ua；反向***时间5ns。高品质的铜材质镀锡引脚与高品质的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。引进台湾健鼎、冠奎一体化生产测试线，确保每一批出货都100%的合格，是开关电源整流的***选择。12年来，ASEMI凭借矢志不移的信念和孜孜不倦的态度，ASEMI坚持只做原装进口ASEMI品牌，在电子行业这一个快速发展的领域中留下了一个又一个属于我们的脚印，MURF1040CT首芯奉献，也留下了一个又一个辉煌的成就，也使得ASEMI品牌被越来越多的内外客户接受认可和追捧。编辑-LL摘要:ASEMI工程师各方位解析肖特基MBR60200PT，我们将逐一对MBR60200PT的各项参数进行细致讲解，让你真正的了解它的作用与性能，在电路设计时更好的选择。下图所示为ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，为了更直观方便的说明，MURF1640CT首芯奉献，我们以MBR60200PT的规格书为模板进行解说：下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用MaximalInvertedRepetitivePeakVoltage——反向重复峰值电压从字面的意思当中我们可以知道它所代表的是肖特基二极管的反向耐压，它的意义在于肖特基反向可以承受的电压，在这个数值范围内，肖特基二极管是安全的。***erageRectifiedForwardCurrent——平均整流正向电流这项参数所表示的是肖特基二极管的正向可通过电流，并且是电流，同样，在这个电流范围内，肖特基二极管也是不会损坏的。TypicalThermalResistance(perleg)——典型热阻（每条腿)这个参数所代表的是引脚铜材本身的一个系数，热阻系数，反映是它的散热性能，它的意义在于散热性能越好，产品越稳定。ForwardPeakSurgeCurrent——正向峰值浪涌电流浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流，浪涌电流持续的时间非常短，在微秒级别，与正向整流电流在区别在于，正向整流指的是二极管持续工作可承受的电流，而浪涌电流它的意义在于体现二极管的正向抗冲击能力上。PeakRepetitiveReverseSurgeCurrent——峰值反向重复浪涌电流这项参数与正向峰值浪涌电流很相似，不同的是它指的是反向浪涌，是二极管反向抗冲击能力的体现。MaximumRateofVoltageChange(atRatedVR)——电压变化率（额定VR）这个参数指的是二极管可以在某一个时间段内可以承受电压变化的能力，这个数值越大，表示它承受电压变化的能力越强，它的意义在于体现二极管的稳定性，可以理解为数值越大，性能越稳定。OperatingJunctionTemperature——工作温度StorageTemperature——储存温度关于温度的这两项，我们之所以放在***后一起解释，因为关于温度的这两个参数很好理解，它所代表的仅仅是肖特基存储温度和正常工作的温升值。IR表示的参数是肖特基二极管的反向泄漏电流，理论上或者是理想状态下，我们认为二极管是正向导通，反向截止的，但实际上，肖特基二极管反向也是有电流通过的，只不过与正向可通过的电流相比，这个数值很小，很多时候可以忽略，我们可以这样去理解，如果反向的泄漏电流可以变大，增大到与正向电流相同的程度，那么***后这个二极管相当于变成了一根导线，完全失去了单向导通的能力，并且反向漏电不为整个电路提供任何电能，本身也是一种损耗，这种损耗并不是我们所希望的，所以在实际的工业应用当中，反向泄漏电流的数值越小越好。VF这个参数指的是二极管的正向饱和压降，不论是导体还是半导体，本身都有电阻，当其中有电流通过时，必然会有电压产生，这个电压我们称作它压降，而饱和压降指的是在二极管通过正向电流所产生的压降，而压降的产生必然会损耗电路当中电能，这个不是我们想要的，并且二极管属于半导体，其本身电阻非常大，所以压降是体现二极管本身耗能的一个指标，这个数值越小，表示电流通过时在二极管上的损耗也越小。MURF1640CT首芯奉献-首芯奉献-ASEMI(查看)由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（）是一家从事“二极管”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“强元芯”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使鼎芯实业在二极管中赢得了众的客户的信任，树立了良好的企业形象。特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！同时本公司（）还是从事三相整流桥型号，三相整流桥经销商，三相整流桥模块的厂家，欢迎来电咨询。)