Honeywell霍尼韦尔CC-PDOB01(51405043-175)，现货销售，顺丰包邮，欲购从速。详情描述：为让您对存储器设计中的可选要素有一个了解，现将带有部分******功能的收费嵌入式存储器类型总结如下。单端口（6T）和双端口（8T）SRAMIP：由于这类存储器架构大多适用于主流CMOS制造流程，无需额外的流程环节，因此基于传统6T存储单元的静态RAM存储器块已成为ASIC/SoC制造中的主流。6T存储单元采用了经过实践检验的由晶圆代工厂生产的可用于高速度、低功耗设计的6T/8T位单元，是大规模程序或数据存储器块的理想器件。6T存储单元可用于存储能力从几位到几兆位的存储阵列。根据设计师是采用针对高性能还是针对低功耗优化的CMOS流程，采用此种结构的存储阵列，经过设计，可满足多种不同的性能需求。经高性能CMOS流程制造的SRAM块，在功耗得到降低的同时，在40nm和28nm等***流程节点的存取时间可降低到1ns以下。随着流程节点的推进，外形尺寸的缩小，采用传统6T存储单元构建的静态RAM，其单元尺寸将更小，存取用时也更短。SRAM存储单元的静态特性使其可保留***小数目的支持电路，只需要对地址进行***，并向***器、传感和计时电路的设计提供信号即可。单端口（6T）和双端口（8T）寄存器文件IP：对于快速处理器缓存和较小的存储器缓冲（***高约每个宏块72Kbit）来说，这类寄存器文件存储器IP是个不错的选择。寄存器同时具备占用空间***小、性能***快等特点。单层可编程ROMIP：这种结构功耗和速度均相对较低，特别适用于空间有限的微码的存储，固定数据的存储，或体积稳步递增的应用程序的存储。这类IP可支持多芯片组和不同长宽比，既缩小了芯片体积，又获得了***佳速度。为加快设计周期，部分IP还提供了用以驱动存储器编译器的编程脚本语言。内容寻址存储器IP：由于速度更快，能耗更低，且与用于执行大量搜索任务的应用程序的算法途径相比，占用芯片空间更小，因此这类IP大多作为TCAM（三进制）或BCAM（二进制）IP，用于搜索引擎类应用程序。通常情况下，搜索可在单个时钟周期内完成。TCAM和BCAM通常用于包转发、以太网地址过滤、路由查询、固件搜索、主机ID搜索、存储器去耦合、目录压缩、包分类以及多路高速缓存控制器等。单晶体管SRAM：这种结构虽然速度有所下降，但密度极高，可用于180nm，160nm，152nm，130nm，110nm，90nm以及65nm流程。尤其适用于需要大量片上存储空间——大多大于256Kbit，但不需要极高的存取速度的ASIC/SoC程序，以及空间有限且存储器块存在***电流的设计。本结构可生成与SRAM工作原理相似的存储器阵列，但其基础为单晶体管/单电容（1T）存储单元（如动态RAM所用）。由于采用了6T存储阵列，因此在相同的芯片空间上，单晶体管SRAM阵列的存储能力更强，但需要在系统控制器和逻辑层面，了解存储器的动态特性，并在刷新控制的提供上发挥积极作用。在某些情况下，为使其看起来像简单易用的SRAM阵列，也可能对DRAM及其自身控制器进行集成。通过高密度1T宏块与某些提供刷新信号的支持逻辑的整合，可使存储单元的动态特性透明化，设计师可在实施ASIC和SoC解决方案时，将存储器块作为静态RAM对待。作为可获得许可IP，1TSRAM可从晶圆代工厂获得。但是，由于某些此类IP需要额外掩膜层（除标准CMOS层外），增加了晶圆成本，因而限制了晶圆代工厂的可选制造空间。为使额外的晶圆加工成本物有所值，芯片上采用的总DRAM阵列大小，通常必须大于50%的芯片空间。大部分可用DRAM宏均为硬宏单元，大小、长宽比以及接口的可选空间有限。有一种单晶体管SRAM的特殊变体，采用了可通过标准批量CMOS流程制造的架构，因此，它既无需修改掩膜，也无需额外的流程步骤。此类IP宏块具有更高的成本效益（流程成本可节省15-20%），并且可在任何工厂进行加工，也可出于成本或生产能力等原因，改换加工工厂。这种解决方案提供了多种尺寸、长宽比和接口，可逐一指定相应的存储器编译器。对于系统的其余部分来说，生成的存储器块接口看起来就像静态RAM，但其密度（位/单元空间）是基于6T存储单元的存储器阵列的2倍（经过对作为空间计算一部分的全部支持电路的平均）。对于大型存储器阵列来说，支持电路所需全部空间所占百分比较小，存储器块的空间利用率也更高。存储器编译器工具嵌入式存储器编译器的职责是，针对特定存储器应用程序的确切需求，量身定做基本的IP存储器宏单元。若适用范围足够广，编译器可允许设计师选择***优架构，自动生成存储器阵列，并***确定优化程序所需的速度、密度、功率、成本、可靠性以及大小等因素。通过编译器的自动化操作，可降低非经常性工程成本，并可减少手动阵列优化相关的潜在错误。编译器不但可使客户的内核大小、接口以及长宽比均达到***理想数值，而且还可帮助他们***大限度地缩短上市时间。作为编译流程的一部分，编译器还可向设计师提供存储器阵列的电气、物理、仿真（Verilog）、BIST/DFT模型以及综合视图。AE3152412-233AB1398-DMM-020AB1398-DOM-005XAB1398-DMM-009AB1398-DDM-019X-DNAB1398-DDM-009XAB1398-DDM-019-DNAB1398-DDM-005X-NV2AB1398-DDM-009-DNAB1398-DDM-019AB1398-DDM-009XAB1398-DDM-019AB1398-PDM-020AE2000-2VAEKGV-2000V-P-03AE3156024-110AE3155107-0012013-09-2AMAT0010-9750WAEMRF150AE0010-09416AB1398-DDM-009AB1398-DDM-005AB1398-DDM-020AB1398DDM019XAB1398-DDM-030X/9101-1630AB1398-DDM-009AB1398-DDM-009XAB1398-DDM-019XAB1398-DDM-009-DNAB1398-DDM-005-DNAB1398-DDM-030AB1398-PDM-075/AAB1398-DDM-005XAB1398DDM019AB1398-DDM-030AB1398-DDM-019AB1398DDM009XDNAB1398-DDM-020AB1398-DDM-030XAB1398-PDM-030P0960JACP40P0970BCDNB1P0700WBCM400YHP0400YUP0400DACM400YKP0400YECM400YNCM400YQP0902UTP0903CW面板P0911VS电脑主机C***20WXP0903Z0P0903ZL-AP0500SRP0400HHP0700HUP0500RYIPS10-D52A1CHH2E-M2L1C1HTIDP10-DF1B02E-SORBL1C1IDP10-DF1C02E-SORBL1C1IDP10-D20C22E-L1C1M1IFL10-D52***2L1C1HTIDP10-D20C22E-L1C1IDP10-D20B22E-L1C1EL3020)