NTMFS4955NT1G分立半导体产品N沟道规格FET类型N沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流-连续漏极（Id）（25°C时）9.7A（Ta），48A（Tc）驱动电压4.5V，10V不同Id，Vgs时的***On6毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs（th）2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）10.8nC@4.5VVgs&plu***n;20V不同Vds时的输入电容（Ciss）1264pF@15VFET功能-功率耗散920mW（Ta），23.2W（Tc）工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳8-PowerTDFN，5引线NTUD3174NZT5G全新N沟道场效应管规格：FET类型2个N沟道（双）FET功能标准漏源电压（Vdss）20V电流-连续漏极（Id）（25°C时）220mA（Ta）不同Id，Vgs时的***On1.5欧姆@100mA，4.5V不同Id时的Vgs（th）1V@100µA不同Vgs时的栅极电荷（Qg）不同Vds时的输入电容（Ciss）12.5pF@15V功率125mW（Ta）工作温度-55°C~150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳SOT-963供应商器件封装SOT-963公司大量库存货源，产品规格仅供参考，如需了解更多可上网查询，我们是电子元器件供应商，要货请与我们明佳达电子联系。)