V***-1000-MICRO显微式激光测振仪基于自混干涉技术的激光测振仪的构造要比传统的***效应的激光测振仪简单得多。从半导体二极管出来的激光打到反射或散射表面后，一小部分背反射或背散射的光再次进到激光腔体，然后产生干涉信号，从中可以得到被测表面法向方向的位移。V***-1000-MICRO采用两种激光。测量振动的激光是红外（波长1310nm），不可见的。红外和不可见激光是完全的眼睛安全的。另外一个红色的指示激光是为不可见的红外激光对中之用。为了不占满摄像机，红色指示激光的功率减到1Mw，光斑大小为10um.激光测振仪被附在显微镜的特殊调节架上，边通滤波镜主要用以红外激光和可见激光的反射，然后分别聚焦到测试目标上。滤波镜能够传递20%从测试表面上散射回来的光，并且在CMOS摄像机的传感器上聚焦。为了能对中方便，显微镜装在一个俯仰、倾斜和旋转位移台上。显微镜激光测振仪测量测试表面的法向分量的振动。光学指标：激光类型：Pout<1mW@650nm(collimated)Pout<15mW@1310nm(focused)激光等级：·Class2@650nm(可见)·Class1M@1310nm(不可见)激光头尺寸：50mmx70mmx105mm控制单元尺寸：12.5cmx15.5cmx29.6cm彩色摄像机指标：130万像素(1280x1024)黑白，彩色和近红外CMOS传感器像素：1280x1024Pixels工作距离：21.7mm激光深度：0.048mm光斑直径：4.0µm范围：300umx250um(X50目镜)激光测振仪指标：量程：1mm(p-p)频率范围：0-50KHz（20KHZ-3MHz）分辨率：0.2nms–1/√Hz精度：+-1%(0-50KHZ),+-5%(20KHZ-3MHZ)应用：本产品适用于硅片、IC、LCD、TFT、PCB、MEMS激光加工、晶片测试、半导体材料、线束加工蚀刻、液晶电池盖、导线框架等产品的检查观察。也适用于几何形状的显微观测，并且有三维的计量功能。因此是精密零件，集成电路，半导体芯片，光伏电池，光学材料等行业的必备仪器。)