接近传感器的分类接近传感器按工作原理分:高频振荡型、电容型、感应电桥型、磁铁型和霍耳效应型等。按操作原理可分为三类：利用电磁感应的高频振荡型，使用磁铁的磁力型和利用电容变化的电容型。按检测方法分：通用型：主要检测黑色金属（铁）所有金属型：在相同的检测距离内，检测任何金属。有色金属型：主要检测铝一类的有色金属根据结构类型分:1、两线制接近传感器：两线制接近传感器安装简单，接线方便；应用比较广泛，但却有残余电压和漏电流大的缺点。2、直流三线式：直流三线式接近传感器的输出型有NPN和PNP两种，70年代日本产品绝大多数是NPN输出，西欧各国NPN、PNP两种输出型都有。PNP输出接近传感器一般应用在PLC或计算机作为控制指令较多，NPN输出接近传感器用于控制直流继电器较多，在实际应用中要根据控制电路的特性选择其输出形式。一方面，继续减小超导磁场放大器的狭窄区域宽度至1μm以下，同时增大磁场放大器的有效面积都可以将磁场放大倍数继续提升至几千甚至上万倍，但是同时会对传感器的工作区间以及小型化造成影响。压阻式压力传感器压力传感器的分类压力传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器等。目前应用较为广泛的压力传感器有：扩散硅压阻式压力传感器、陶瓷压阻压力传感器、溅射薄膜压力传感器、电容压力传感器、耐高温特性的蓝宝石压力传感器。但应用为广泛的是压阻式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。各种压力传感器的原理压阻式压力传感器这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。提到压阻式传感器，首先得讲到它的原理——压阻效应。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。当压力变化时，电阻R1,R2,R3,R4发生变化，从而引发加载在电阻中间的电压发生变化，这种变化反映出压力值。压阻式传感器又称为扩散硅压阻式压力传感器，被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，和用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。电阻应变式压力传感器将电阻应变片粘贴在弹性元件特定表面上，当力、扭矩、速度、加速度及流量等物理量作用于弹性元件时，会导致元件应力和应变的变化，进而引起电阻应变片电阻的变化。电阻的变化经电路处理后的以电信号的方式输出，这就是电阻应变片传感器的工作原理。电阻应变片应用的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。金属电阻应变片又有丝状应变片和金属箔状应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。这种应变片在受力时产生的阻值变化通常较小，一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路（通常是A/D转换和CPU）显示或执行机构。假定电子在隧穿过程中自旋不发生翻转，并且隧穿电流正比于费米面附近电子的态密度。半导体应变片是利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹元件上间接地感受被测外力。利用不同构形的弹元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片相比，具有灵敏系数高（约高50～100倍）、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。IC传感器可在-55°C至150°C的温度范围内工作--精选的几种IC传感器工作温度可高达200°C。A1330器件介绍为了满足那些需要冗余传感器的系统要求，A1330可提供单芯片和双芯片版本，它们都包含有片上EEPROM技术，能够支持多达100次的读/写，可用于灵活的下线参数校准。两个版本都非常适合需要0°至360°角度测量的车规级应用，例如EPS的电机位置测量，以及需要低延迟和高分辨率的泵类与变速箱执行器以及其他高速执行器。A1330还包括有片上角度缩放功能，以支持小至11.25°等需要较短角位移的应用，这些包括阀门位置、踏板位置和油箱油位感应等。目前在磁电阻传感器领域性能为优异、同时有应用价值及潜力的当属GMR和TMR磁传感器。)