电容的用途精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各15次。1．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。2．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关组件。3．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，南京电解电容，一电容储存的电能可以供一个手机使用一天。如何测试电容的好与坏？？测试电容的好坏有以下两种办法1:用指针万用表将认意一根表笔触摸电容一只脚,然后用另外一根触摸另一只,这时表针会敏捷上升然后缓慢下降,这就是电容的充放电过程,阐明电容是好的,假如没改变,那么交流表笔会呈现上述现象的话,也阐明是好的,假如都不呈现充放电或表针上升后不下降就是电容坏了。不下降就是里边击穿了，表针一点不动就是失效了，大电容用1X10档小电容用1X1K或1X10K档量。高压电容器是由圆筒体、筒体顶部、平盖或半球形形封头、密封元件以及一些附件组成。办法2：用数字式万用表测电容：将档位打到电容（依据你测的电容值选档），测验时用两个表笔搭接电容的两个脚，表有必定的数值，然后回到无量大位，互换表笔再试一次，这次显现数据巨细略有误差，再回到无量大，阐明电容是好的，如不能回无量大，阐明漏电，如显现无量大，阐明内部断路或没容量了。由于低压电容器内部一般均装有元件保护熔丝，因此这种事故多发生在没有安装内部元件保护的高压电容器组。使用薄膜电容需要注意什么作业电压薄膜电容器答应施加的较高电压，受所施加的电压波形、电流波形、频率、环境温度（电容器表面温度）、电容量等要素的影响。运用前请先查看施加的电容器两头的电压波形、电流波形和频率是否在规则值内。（在高频场合，答应电压随电容器类型的不同改动，详细资料请参阅规范书）1.1、额外电压与作业电压在正常运用条件下，薄膜电容器的作业电压不能超出其额外电压，不然会使薄膜的绝缘功能劣化而导致击穿。但对有自愈才能的金属化电容器，有时不会当即发作击穿，但绝缘电阻会下降，某些电路还会导致电容器冒烟或起火。如标示直流电压的电容器用在沟通电路中，产品的较大作业电压会受发热和放电的约束。转换成沟通的较大作业电压随电容器类型的不同而改动电容器的投切方式二精度能达到0.5级，局放＜5pC@14.4kV，介质损耗＜0.1%，雷电冲击75kVAC,1.2/50μs，正负极性各15次电子式无触点可控硅投切电容器装置（TSC）可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。但是，可控硅在导通运行时，可控硅结间会产生一伏左右的压降，通常15KVAR三角形接法的电容器，额定电流22A，则一个可控硅消耗功率约为22W。如以一个150KVAR电容柜来算，运行时可控硅投切装置消耗的功率可达600W，而且都变成热量，使机柜温度升高。同时可控硅有漏电流存在，当未接电容时，即使可控硅未导通，其输出端也是高电压。电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f（但不能和双电层电容比）。优点：无涌流，无触点，使用寿命长、维修少，投切速度快（5ms内）；缺点：价格高为接触器的3倍、投切速度0.5s左右)