共模电感缺失=防EMI性能低下？这样的说法显然是颇为片面的。诚然，由于***的EMI相关规范并不健全，部分厂商为了省料就钻了这个空子，在整体防EMI性能上都大肆省料压缩成本(其中就包括共模电感的省略)，这样做的直接后果就是主板防EMI性能极其低下；但是对于那些整体设计，用料不缩水的主板，即使没有共模电感，其整体防EMI性能仍能达到相关要求，这样的产品仍然是合格的。因此，单纯就是否有共模电感这一点来判断主板的优劣并不恰当.如果芯体具有差模电感，那么，差模电流就会使芯体内的磁通发生偏离零点，如果偏离太大，芯体便会发生磁饱和现象，使共模电感基本与无磁芯的电感一样。结果，共模辐射的强度就如同电路中没有扼流圈一样。差模电流在共模环形线圈中引起的磁通偏离可由下式得出:式中，是芯体中的磁通变化量，Ldm是测得的差模电感，是差模峰值电流，n为共模线圈的匝数。由于可以通过控制B总，使之小于B饱和，从而防止芯体发生磁饱和现象，有以下法则:式中，是差模峰值电流，Bmax是磁通量的偏离，n是线圈的匝数，A是环形线圈的横截面积。Ldm是线圈的差模电感。共模扼流圈的差模电感可以按如下方法测得:将其一引腿两端短接，然后测量另外两腿间的电感，其示值即为共模扼流圈的差模电感。为了利用差模电感，在滤波器的设计过程，共模与差模不应同时进行，而应该按照一定的顺序来做。首先，应该测量共模噪声并将其滤除掉。采用差模***网络(DifferentialModeRejectionNetwork)，可以将差模成分消除，因此就可以直接测量共模噪声了。如果设计的共模滤波器要同时使差模噪声不超过允许范围，那么就应测量共模与差模的混合噪声。)