LED灯珠芯片结构LED灯珠芯片是半导体发光器件LED灯珠的核心部件，它主要由(AS)、铝(AL)、(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。LED芯片按发光亮度分类可分为：一般亮度：R(红色GAaAsP655nm)、H(高红GaP697nm)、G(绿色GaP565nm)、Y(***GaAsP/GaP585nm)、E(桔色GaAsP/GaP635nm)等；高亮度：VG(较亮绿色GaP565nm)、VY(较亮***GaAsP/GaP585nm)、SR(较亮红色GaA/AS660nm)；超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。而碳化矽衬底芯片的ESD值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的ESD值就更低，只有500-600伏。一个好的芯片或LED灯珠，如果我们用手去拿（身体未作任何防护措施），其结果就可想而知了，芯片或LED灯珠将受到不同程度的损害，有时一个好的器件经过我们的手就莫名其妙的坏了，这就是静电惹的祸。封装企业如果不严格按接地规程办事，吃亏的是企业自己，将造成产品合格率下降，减少企业的经济效益，同样应用LED的企业如果设备和人员接地不良的话也会造成LED灯珠的损坏，返工在所难免。亮度测试及产品使用说明1、测试VF、亮度、波长时需根据LED灯珠的实际功率设置正常工作电流，测试VR时IR设为10uA,测试IR时VR设为5V。检测和使用草帽LED灯珠时，必须给每个LED灯珠提供相同电流即使用恒流检测，才能保证测亮度一致。2、在使用已分光分色的草帽LED灯珠时，请按BIN级的不同归类使用，不能把不同等级BIN级的产品混合使用在同一个产品上，导致产品的一致性较差。如确要混合BIN级使用，相邻BIN级可以放在一起使用，但应儘量避免)