编辑-LL6N60_mos管ASEMI供应厂商FEATURE6A，600V，RDS(ON)=1.2Ω@VGS=10V/3ALowgatechargeLowCissFastswitching***alanchetestedImproveddv/dtcapabilitymos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。编辑-LL普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，8N65常用于开关电路，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。型号：SSR1013L品牌：ASEMI封装：220AB特性：整流电性参数：50A110V芯片材质：GPP正向电流(Io)：50A芯片个数：正向电压(VF)：芯片尺寸：浪涌电流If***：漏电流(Ir)：工作温度：-40~150***时间(Trr)：10ns引线数量：3编辑-LL8、输入阻抗高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，常用于开关电路，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，10N65常用于开关电路，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，8N80常用于开关电路，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S，这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。10N65常用于开关电路-常用于开关电路-ASEMI(查看)由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（）拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！同时本公司（）还是从事整流桥型号参数，整流桥型号封装，整流桥型号价格的厂家，欢迎来电咨询。)