描述/Descripti***BRCL3130ME产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。BRCL3130ME包括了***的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和***电路。BRCL3130ME具有非常小的SOT23-5的封装，这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。BRCL3130ME具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需要保护功能，并且工作时功耗非常低。该芯片不仅仅为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。内部集成等效50mΩ的***的功率MOSFET；超小封装SOT23-5；过温保护；过充电电流保护；2段过流保护：过放电电流，负载短路电流；充电器检测；0V电池充电功能，延迟时间内部设定，高精度电压检测；低静态电流：正常工作电流：2.8uA；待机电流：1.5uA;兼容ROHS和无铅标准。无卤产品。适用于单芯锂离子电池组；锂聚合物电池组。在正常放电过程中，当电池电压降到过放检测电压（VDL）以下,并且持续时间达到过放电电压检测***时间（TDL）或更长，BRCL3130ME将切断电池和负载的连接，停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当控制放电的FET被关断，VM通过内部VM与VDD之间的RVMD电阻被拉到高电平，同时芯片的耗电电流会降到休眠电流（IPDN），这种情况被称为休眠情况。在过放和休眠情况中，VM和VDD之间由RVMD电阻连接。当一个充电器连接上并且VM电压低于充电检测电压（VCHA）时,休眠状态解除。这时放电FET仍然是断开的。当电池电压升高到过放检测电压(VDL)或更高时（见备注），BRCL3130ME打开FET进入正常工作模式。备注：在电池处于过放电情况下接上充电器，如果VM端电压不低于充电检测电压（VCHA）,并且电池电压达到过放解除电压（VDR）或更高，过放情况解除。)