90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管编辑-LL90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管MOS管驱动跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，100N10，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。假设在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，100N10***MOS管，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适合的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，但在12V汽车电子系统里，普通4V导通就够用了。编辑-LL普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，100N10高品质mos管，反向漏电流小，100N10品质MOSFET管，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。型号：SSR1013L品牌：ASEMI封装：220AB特性：整流电性参数：50A110V芯片材质：GPP正向电流(Io)：50A芯片个数：正向电压(VF)：芯片尺寸：浪涌电流If***：漏电流(Ir)：工作温度：-40~150***时间(Trr)：10ns引线数量：3编辑-LLASEMI-90N10/100N10-MOS管导通特性导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（驱动）。但是，固然PMOS可以很便当地用作驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交流种类少等缘由，在驱动中，通常还是运用NMOS。100N10高品质mos管-100N10-ASEMI由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（）位于深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前鼎芯实业在二极管中享有良好的声誉。鼎芯实业取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。鼎芯实业全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。同时本公司（.cn）还是从事贴片整流桥，贴片整流桥厂家，贴片整流桥定制的厂家，欢迎来电咨询。)