ICP刻蚀机简介以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。一．系统概况该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；2.真空室组件及配备零部件全部采用优质铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，内腔尺寸Ф340mm×160mm；3.极限真空度：≤6.6x10-4Pa(经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系统从大气开始抽气到5.0x10-3Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；7.ICP头尺寸：340mmmm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；8.沉积工作真空：1-20Pa；9.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；10.射频电源：2台频率13.56MHz，功率600W，全自动匹配；11.6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫12.刻蚀速率SiO2：≥0.5μm/minSi：≥1μm/min光刻胶：≥1μm/min13.刻蚀不均匀性：优于±5%（Φ4英寸范围内）优于±6%（Φ6英寸范围内）14.选择比CF4的选择比为50,化学气相沉积的原理沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：（1）形成挥发性物质；（2）把上述物质转移至沉积区域；（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质。基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。物***相沉积和化学气相沉积的区别化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。物***相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。物***相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好以上内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！)