ICP刻蚀机简介以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产化学气相沉积，ICP刻蚀机销售，欢迎新老客户莅临。一．系统概况该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，ICP刻蚀机，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；2.真空室组件及配备零部件全部采用优质铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，内腔尺寸Ф340mm×160mm；3.极限真空度：≤6.6x10-4Pa(经烘烤除气后，ICP刻蚀机价格，采用FF160/600分子泵抽气)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系统从大气开始抽气到5.0x10-3Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；7.ICP头尺寸：340mmmm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；8.沉积工作真空：1-20Pa；9.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；10.射频电源：2台频率13.56MHz，功率600W，全自动匹配；11.6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫12.刻蚀速率SiO2：≥0.5μm/minSi：≥1μm/min光刻胶：≥1μm/min13.刻蚀不均匀性：优于±5%（Φ4英寸范围内）优于±6%（Φ6英寸范围内）13.选择比CF4的选择比为50，化学气相沉积的特点化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。I)沉积物种类多:可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2)CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3)能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4)由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。5)利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6)设备简单、操作维修方便。7)反应温度太高，一般要850~1100℃下进行，ICP刻蚀机供应，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。如需了解更多化学气相沉积的相关信息，欢迎关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司网站或拨打图片上的热点电话，我司会为您提供***、周到的服务。方箱PECVD简介该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。设备概述：1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；3.极限真空度：≤6.67x10-4Pa(经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S；系统从大气开始抽气到5.0x10-3Pa，35分钟可达到（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；停泵关机12小时后真空度：≤5Pa（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；7.沉积工作真空：13-1300Pa；8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；9.射频电源：频率13.56MHz，功率500W，全自动匹配；10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。11.系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。以上就是关于方箱PECVD镀膜产品的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的***电话或关注沈阳鹏程真空技术有限责任公司！ICP刻蚀机销售-ICP刻蚀机-沈阳鹏程真空技术由沈阳鹏程真空技术有限责任公司提供。ICP刻蚀机销售-ICP刻蚀机-沈阳鹏程真空技术是沈阳鹏程真空技术有限责任公司（）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：董顺。)