微型PECVD系统，它包括小型真空管式炉，石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽：0-100W可调；温度范围宽：100-1200度可调；溅射区域宽：0-600mm可调；适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。主要特点1.薄膜沉积速率高：采用了甚高频技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S；2.大面积均匀性高：采用了***的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；3.一致性高：用半导体行业的***设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；4.工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；5.选配物料喷射系统，可将原料直接喷射到反应区。6.专利号：ZL201320052532.0（专利产品，防伪必究）。技术参数真空管式炉炉管尺寸：外径Φ50×700mm极限温度：1200℃温度控制器：PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器***快升降温速率：60℃加热区：230mm恒温区：100mm温度精度：&plu***n;1℃电源：单相220V,交流50Hz多通道流量计控制系统标准量程：100，200SCCM；（以氮气标定，除以上标准外量程可选）准确度：&plu***n;1.5%工作压差范围：0.1～0.5MPa***大压力：3MPa接头类型：Φ6双卡套不锈钢接头高真空系统泵体积流量N2：33L/S压缩比：≥1011mbar实验真空值：≤10-6mbar功率消耗：140W启动时间：2min电源要求：185-265VAC射频电源信号频率：13.56MHz&plu***n;0.005%W功率输出范围：0-100W***大反射功率：10W)