霍尼韦尔ST2JR7EH霍尼韦尔ST2JR7EH霍尼韦尔ST2JR7EH随着电力电子技术的快速发展，三相逆变器的应用变得非常广泛。近年来，随着IGBT制造技术的提高，相继出现了电压等级越来越高、额定功率越来越大的单管、两单元IGBT模块及六单元IGBT模块，同时性能价格比的提高使得IGBT在三相逆变器的设计中占有很大的比重，成为许多设计人员***的功率器件。随之而来的是IGBT的驱动芯片也得到了很大的发展，设计人员、生产厂家都给予了高度重视，小型化、多功能集成化成为人们不断追求的目标。相信随着制造技术的发展，将会研制出更多更好的IGBT驱动芯片，并得到广泛的应用。中海德：叶工联系shouji：17750208806（微信同号）固定：0591-83971443转8006扣扣：3004675692地址：福州市闽侯高新区正荣财富中心（SOHO）3座8层51402573-25051402625-12551309138-17551309138-22551309138-27551309140-12551309140-17551309142-12551309154-12551309154-17551401491-10051401491-15051401547-10051401573-10051401573-15051309154-22551309154-27551309202-12551309202-17551401186-10051401191-100620-0052620-0054620-0055620-0056620-0036620-2090620-3032620-0058620-0027620-0030620-3590620-0059620-0071620-0026621-0000621-0004621-0006620-0080620-0038620-0041620-0043621-0007621-0010RC621-0012621-0012R)