IGBT场效应管IKW30N60T特点非常低VCE（SAT）1.5V（典型值）最高结温为175℃短路承受时间-5μs的设计用于：-频率转换器-不间断电源沟槽场终止技术，600V应用提供：-参数分布非常紧凑-高耐用性，温度稳定的行为-非常高开关速度-低V在V正温度系数低EMI低栅电荷非常柔软快速恢复反并联EMCON何二极管规格IGBT类型沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）600V电流-集电极（Ic）（最大值）60A脉冲电流-集电极(Icm)90A不同Vge，Ic时的Vce（on）2.05V@15V，30A功率-最大值187W开关能量1.46mJ输入类型标准栅极电荷167nC25°C时Td（开/关）值23ns/254ns测试条件400V，30A，10.6欧姆，15V反向恢复时间（trr）143ns工作温度-40°C~175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装PG-TO247-3IW673-00是DialogAC/DC控制器芯片，该芯片目前中文资料缺少，无法提供参数给商友。分立半导体IKW30N60T，IW673-00，库存大量货源，价格有单欢迎详谈，电子IC询价记得找明佳达电子，我们是供应商，长期批发零售各种电子元器件货源。)