
RFMI晶体谐振器XO6015
晶体谐振器的工作原理基于压电效应。当在石英晶体的电极上施加电场时,晶片会产生机械变形;反之,若在晶片两侧施加机械压力,则会在相应方向上产生电场。若在晶片的两极间施加交变电压,晶片会因此产生机械振动,而这一机械振动又会反过来在晶片内引发交变电场。当外加交变电压的频率达到某一特定值时,晶片的振幅会显著增加,远超其他频率下的振幅,这一现象被称为压电谐振。这种谐振现象使得晶体谐振器能够在特定频率下有效地振荡。性能特点表面贴装焊接封装更高的可靠性能良好的频率扰动和温度稳定性湿度灵敏度(MSL):1级技术参数产地:美国标称频率:25.000000MHz频率稳定度(总体):-25...+25ppm老化:-3..+3ppm谐振器基底:晶体类型:XO(标准)频率:25兆赫功能:启用/禁用输出:CMOS电压-电源:1.2V频率稳定性:±25ppm电流-电源(max):6mA安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD,无引线尺寸:0.197英寸长x0.126英寸宽(5.00毫米x3.20毫米)工作温度范围:-40..+85℃存储温度范围:-55...+125℃)