CENTRALSEMI二极管CPD48V-CBAT54-CM
CENTRALSEMICONDUCTORCBAT54系列是采用SOT-23表面贴装封装的硅肖特基二极管。硅肖特基二极管,硅材料的使用使得二极管具有优良的电性能,包括较低的正向压降和较高的反向击穿电压。CBAT54系列硅肖特基二极管以其优良的电性能、小巧的尺寸和可靠的质量,在各种电子设备中具有广泛的应用前景。性能特点裸片。777X13.777密耳。肖特基二极管(<1A)。2A,30V。表面贴装。硅肖特基二极管。非常小的尺寸,使得CBAT54系列二极管非常适合用于小型化、集成度高的电子设备中。技术参数产地:美国连续反向电压:30V连续正向电流:200mA峰值重复正向电流:300mA正向浪涌电流,tp=10ms:600mA功率耗散:350mW工作温度:-65至+150°C存储接面温度:-65至+150°C热阻:357°C/W包装:WafflePack@400贴装:表面贴装)