该MOSFET能够承受高达650伏的漏源电压（VDS），适用于高电压环境。低***（ON）意味着在导通状态下，MOSFET的电阻较小，能够减少功耗，提高工作效率。低阈值电压使得MOSFET在较低的栅源电压下即可开始导通，有助于降低功耗并提高响应速度。低栅极电荷意味着MOSFET的开关速度更快，能够减少开关过程中的能量损失。性能特点结合高电压能力、低***（ON）、低阈值电压和低栅极电荷等特点，使得CDMSJ22013.8-650在功率因数校正和电源充电器等应用中表现良好。采用***的制造工艺和材料，确保MOSFET在高电压、高电流条件下仍能保持稳定的性能。紧凑的封装形式使得8-650易于与其他电子元件集成，降低电路设计的复杂性和成本。技术参数产地：美国漏极-源极电压：650V栅极-源极电压：30V连续漏极电流：13.8A连续漏极电流（TC=100°C）：8.7A脉冲漏极电流：41.4A正向二极管电流：13.8A功率耗散：35.7W功率耗散（TC=100°C）：14.3W工作温度：-55至+150°C存储接面温度：-55至+150°C)