低本底测量仪主要技术指标主要技术指标仪器对于90Sr-90Yβ源（活性区Φ20mm）的2π探测效率比≥50％时，本底≤0.15cm-2min-1；仪器对于241Amα源（活性区Φ25mm）的2π探测效率比≥80％时，本底≤0.005cm-2min-1；α／β交叉性能：α进入β道的计数比＜3％（对241Am），β进入α道的计数比＜0.5％（对于90Sr-90Y）；长期稳定性重复性：仪器连续通电8小时，探测效率变化＜±10％；本底稳定性：在8小时的测量时间内，本底计数变化应在(Nb±3σ)的范围内，多路总α总β供应商，其中Nb为本底计数的平均值，σ为本底计数的标准误差。仪器灵敏度：α≥5×10-3Bq；β≥1×10-2Bq耐压绝缘度＞1500V；绝缘电阻≥2MΩ；想要了解更多低本底的相关信息，欢迎拨打图片上的***电话！中核控制是您的选择低本底测量想要了解更多低本底的相关内容，请及时关注中核控制系统工程有限公司网站。低本底是指再被测性样品中，总α总β供应商，除本实验感兴趣的核素以外的其他因素（包括样品的干扰核素）在辐射探测器中产生的信号。低本底测量是指在低本底条件下对样品进行测量，相应使用的仪器称为低本底探测器。低本底探测器往往选用性杂质少的材料或经过纯化的材料制作探测器及整个装置。除α探测器外，低本底探测器周围要适当增加物质屏蔽，二路总α总β供应商，以防止宇宙射线和周围环境中的射线引起的本底。常用的屏蔽材料为铅和钢。对探测器和测量系统的工作条件也要做适当的选择，以减少噪声和外界电磁场的干扰等因素引进的本底计数。低本底半导体探测器金硅面垒半导体探测器己广泛用于α能谱分析。它们的灵敏面积在25～450mm2，抽空使用时能量分辨率（对5.5MeV）好可达到13～30keV。但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器，八路总α总β供应商，一般只能采用较大面积（如直径2.5cm左右），而且总是在室温下不必抽空使用，因此其能量分辨本领半高全宽（FWHM）一般可能要大于50～60keV。多路总α总β供应商-总α总β供应商-中核控制由中核控制系统工程有限公司提供。中核控制系统工程有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。中核控制——您可信赖的朋友，公司地址：北京市经济技术开发区宏达南路3号，联系人：陈先生。)