企业视频展播，请点击播放视频作者：广州同创芯电子有限公司台积电透露，2纳米制程工艺将使用GAAFET架构根据台积电近期在技术研讨会北美专场分享的制程技术发展蓝图及未来计划，其初始3纳米节点（N3）有望于今年下半年开始量产，并从明年初交付给客户。此外，台积电未来几年还将推出多种N3衍生制造工艺。2纳米制程工艺方面，台积电透露，快速比价全新TI/逻辑芯片小批量订单，N2工艺节点将使用GAAFET架构，计划在2025年投产。需求变弱，第3季DDR3与DDR4价格将季减3~8%由于俄乌冲突、疫情以及高通胀等因素冲击消费性电子买气，其中属c***umerDRAM相关应用的笔电、电视出货面临下修，加上DDR3因价格属于相对高点，买方在库存与成本压力之下，购买力道明显收敛，预估DDR3与DDR4需求将同步下滑，市场拉货动能持续走弱。而韩厂对于退出DDR3供给的计划不变，但下半年仍有陆厂及台厂新增产能开出。在需求走弱，供给增加的情形下，卖方的议价优势不再，难以支撑第三季c***umerDRAM价格，预测DDR3与DDR4价格将季减3~8%。DRAM供过于求，Q2价格继续下调PC、笔电、智慧型手机等产品需求面，近期受乌俄与高通膨影响，消费者购买力削弱，研调机构TrendForce预估，第2季整体DRAM均价跌幅约0~5%，目前仅伺服器为主要支撑记忆体需求来源，整体第2季DRAM仍存在供过于求情形。TrendForce表示，在PC的DRAM方面，受乌俄影响，引发PC代工厂对第2季订单采取保守备货策略，且可能持续影响下半年旺季订单，进而下修今年的出货目标，但整体供给位仍增长，因此第2季PC应用的DRAM价格跌幅应会再扩大至3%~8%，且可能会进一步恶化。伺服器DRAM方面，快速比价全新TI/逻辑芯片公司，TrendForce指出，伺服器DRAM属长料，库存水位与季大致持平，但价格跌幅可望随旺季备货潮收敛至0~5%。而受高通膨、各国疫情变化及乌俄等诸多因素影响，快速比价全新TI/逻辑芯片供应链，不排除智慧型手机生产量可能持续下修，预估第2季供过于求将持续，天津快速比价全新TI/逻辑芯片，跌幅约0~5%。绘图（Graphics）DRAM方面，近几个月虚拟***价格疲弱，显卡需求逐渐开始松动，但厂商要将规格转换尚待时间发酵，预估第2季价格将转为上涨0~5%。消费型DRAM因来自特定产品如WiFi6、5G基地台等对DDR3需求持续强劲，三星、SK海力士已逐步减产DDR3，因此TrendForce预期，DDR3第2季价格将上涨3~8%；DDR4则仍维持跌势。天津快速比价全新TI/逻辑芯片-同创芯(推荐商家)由广州同创芯电子有限公司提供。广州同创芯电子有限公司为客户提供“IC,二三极管,电感,电容电阻,***T贴装服务”等业务，公司拥有“同创芯”等品牌，专注于二极管等行业。，在广州市增城区新塘镇汽车城大道东凌广场A栋2005-2012室的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：卢顺财。)