光刻胶的主要技术参数1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。2、对比度:指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好，NR91500P光刻胶厂家，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。3、敏感度:光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长的小能量值(或小***量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶的敏***对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。以上内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！含硅光刻胶为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此，NR91500P光刻胶，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。***显影后，NR91500P光刻胶哪家好，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性[2]。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含Si的树脂等以上就是关于光刻胶的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的***电话！光刻胶：半导体技术壁垒的材料之一光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。赛米莱德——生产、销售光刻胶，我们公司坚持用户为上帝，想用户之所想，急用户之所急，以诚为本，讲求信誉，以产品求发展，以质量求生存，我们热诚地欢迎各位同仁合作共创辉煌。NR91500P光刻胶多少钱-北京赛米莱德有限公司由北京赛米莱德贸易有限公司提供。“光刻胶”选择北京赛米莱德贸易有限公司，公司位于：北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208，多年来，赛米莱德坚持为客户提供好的服务，联系人：苏经理。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。赛米莱德期待成为您的长期合作伙伴！)