北京陶瓷电容-纬迪电容器薄膜电容器-低压陶瓷电容
特殊电子元器件部位明确标准①发热元器件应置放在有利于热管散热的部位,比如PCB的边沿,并微控制器集成ic;②的高频率元器件应紧挨着置放,以减少她们中间的联线;③光敏电阻器应远离数字时钟产生器、震荡器等噪音源;④电阻器、可调式电感、可变电容器、轻触开关等可调式元器件的合理布局应合乎整个设备的构造要求,便捷调整;⑤品质偏重的元器件应选用支撑架固定不动;⑥EMI过滤器应挨近EMI源置放。MKP是一种金属化聚薄膜电容器,具有低损耗,无感结构和自愈击穿的特点。适用于高压,大电流和高脉冲强度电路。CBB电容器也称为聚电容器。电容为10p-10μ,额定电压为63--2000V。无极性,高绝缘电阻,出色的频率特性和低介电损耗。使用上的区别:MKP电容器主要用于EMI传入线路滤波,CBB电容器主要用于振荡,耦合,电阻电容电路等;CBB22的成本低于MKP,并且其电气性能可以满足实际的直流耐压条件。可以替代MKP。陶瓷类1电容:具有温度补偿,精q确测量电容值。各种电压和温度下的稳定性佳,损耗小;但它的体积效率是低的。经典的Class1陶瓷电容的温度系数为30ppm/°C,且温度线性较大,陶瓷电容的散逸系数约为0.15%,因此可用于滤波器。普通Class1电容的电容误差在5%到10%左右,高精度也能找到,误差在1%左右。Class1电容器高精度被标记为C0G或NP0。)