ESD静电保护二极管ESD-ProtectionDiodeArrayswithTVSstransientvoltagesuppressors(TVSs)产品特点：•低电容，***低可达到0.5pF；•快速响应时间：通常小于1nS；•静电能力强：常规器件满足IEC61000-4-2(ESD)±15KV(air),±8KV(contact)•体积小，小型化器件，节约PCB空间；•单路，双路、四路、六路高速差分ESD保护•可选电压分类较广，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V、24、36等等；•灵活度高，可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数；•封装形式多样化，目前拥有的ESD封装有：QFN-0201、SOD-882、DFN1006-3L、SOT-523、SOD-523、QFN-10、SOD-123S、SOD-323、SOD-923、SOT-23、SOT-143、SOT-363、SOT23-6L、SOIC-8、SOIC-16等；常用型号：SD03SD05SD12SD15SD24SD36SD03CSD05CSD08CSD12CSD15CSD18CSD24CSD36CSD48CLC03ILC03ILC05ILC08ILC12ILC15ILC24ILC03CILC05CILC08CILC12CILC15CILC24CILC3311CCWLC3301CW***03***05***08***12***15***24***36***33C***05C***08C***C12***C15***C18***C24***C36***S3.3***S05***S12***S15***S24***S33C***S05C***S12C***S15C***S24CSRV05-4SR05SR70ESD9D5CESD9D3V3ESD9D5VLCDA05LCDA12LCDA15LCDA24***DA3.3C***DA05C***DA12C***DA15C***DA24CSLVU2.8-4SLVU2.8-8LC03-3.3LC03-6ESD静电保护二极管参数详解•VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。•VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。•IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。•IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。•VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。•CJ：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。)